[发明专利]栅压自举开关电路、采样保持模块及电子装置在审
申请号: | 201810322629.6 | 申请日: | 2018-04-11 |
公开(公告)号: | CN110365325A | 公开(公告)日: | 2019-10-22 |
发明(设计)人: | 刘飞 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687;H03M1/12 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开关电路 栅压自举 采样保持模块 电子装置 栅压 辅助电路 时钟信号 泄放电路 电荷泵 电压提供 供给电路 寄生电容 控制电压 栅端电压 导通 减小 泄放 栅端 电源 | ||
1.一种栅压自举开关电路,包括一作为开关的MOS开关管、第一电源、第二电源及连接所述MOS开关管的栅端和漏端的电荷泵,所述MOS开关管的源端接收输入信号,所述电荷泵同时连接所述第一电源和第二电源,在第一时钟信号的控制下向所述MOS开关管提供栅端控制电压,并保持所述MOS开关管在导通时的栅源电压差不变;其特征在在于,所述电荷泵包括栅压供给电路、栅压泄放电路以及辅助电路;所述栅压供给电路用于在所述第一时钟信号的控制下将第一电源的电压提供所述MOS开关管的栅端或者将或输入信号的电压和所述第一电源的电压之和提供所述MOS开关管的栅端,以作为所述MOS开关管的栅端控制电压,并使得所述MOS开关管在导通时的栅源电压差保持不变;所述栅压泄放电路用于在一与第一时钟信号反相的第二时钟信号的控制下对所述MOS开关管的栅端的栅端控制电压进行泄放,以调整所述MOS开关管的栅端电压;所述辅助支路一端连接所述栅压泄放电路,另一端接所述第一电源,用于在所述MOS开关管导通时将所述第一电源的电压提供给所述栅压泄放电路,以作为所述栅压泄放电路的一个参考电压。
2.如权利要求1所述的栅压自举开关电路,其特征在于,所述栅压供给电路包括自举电容、电容充电支路、电容放电支路以及栅压控制支路;所述自举电容用于在所述MOS开关管导通时,将所述MOS开关管的栅端控制电压提升为输入信号的电压和所述第一电源的电压之和;所述电容充电支路分别连接所述MOS开关管的栅端、所述第一电源以及所述自举电容的上极板,用于在所述MOS开关管的栅端控制电压的控制下对所述自举电容进行充电;所述电容放电支路分别连接所述自举电容的下极板、所述MOS开关管的源端以及所述第二电源,用于在所述第一时钟信号的控制下对所述自举电容进行放电;所述栅压控制支路分别连接所述MOS开关管的栅端和源端以及所述栅压泄放电路,还连接至所述电容充电支路与所述自举电容的上极板的连接节点,用于在所述第一时钟信号的控制下向所述MOS开关管提供栅端控制电压。
3.如权利要求2所述的栅压自举开关电路,其特征在于,所述电容充电支路包括第一PMOS管,所述第一PMOS管的栅端连接所述MOS开关管的栅端,所述第一PMOS管的源端连接所述第一电源,所述第一PMOS管的漏端连接所述自举电容的上极板以及所述栅压控制支路。
4.如权利要求2所述的栅压自举开关电路,其特征在于,所述电容放电支路包括第一反相器和第一NMOS管,所述第一反相器的输入端接入所述第一时钟信号,所述第一反相器的输出端输出所述第二时钟信号,所述第一NMOS管的栅端连接所述第一反相器的输出端,所述第一NMOS管的漏端连接所述自举电容的下极板、所述MOS开关管的漏端以及所述栅压控制支路。
5.如权利要求2所述的栅压自举开关电路,其特征在于,所述栅压控制支路包括第二反相器、第二PMOS管以及第三NMOS管,所述第二PMOS管的源端连接至所述电容充电支路与所述自举电容的上极板的连接节点,所述第二PMOS管的漏端同时连接所述MOS开关管的栅端以及所述栅压泄放电路,所述第二PMOS管的栅端同时连接第二NMOS管的漏端和所述第二反相器的信号输出端;所述第二NMOS管的栅端连接所述MOS开关管的栅端,所述第二NMOS管的源端分别连接所述MOS开关管的漏端以及所述自举电容与所述电容放电支路的连接节点;所述第二反相器的信号输入端接入所述第一时钟信号,所述第二反相器还分别连接所述第一电源以及所述自举电容与所述电容放电支路的连接节点。
6.如权利要求5所述的栅压自举开关电路,其特征在于,所述第二反相器包括第三PMOS管和第三NMOS管,所述第三PMOS管的源端连接所述第一电源,所述第三PMOS管的漏端与所述第三NMOS管的漏端相互连接以作为所述第二反相器的信号输出端,所述第三NMOS管的源端连接至所述自举电容与所述电容放电支路的连接节点,所述第三PMOS管的栅端与所述第三NMOS管的栅端相互连接以作为所述第二反相器的信号输入端。
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