[发明专利]一种晶圆键合方法

权利要求书

1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圆和第二晶圆；

对所述第一晶圆进行预处理工艺以减少所述第一晶圆的残留物，和/或，对所述第二晶圆进行预处理工艺以减少所述第二晶圆的残留物；

将所述第一晶圆的正面和所述第二晶圆的正面相键合。

2.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述预处理工艺的步骤包括：

在所述第一晶圆的正面或所述第二晶圆的正面涂覆一保护层，通过洗边工艺去除部分所述保护层以暴露出所述第一晶圆的边缘或所述第二晶圆的边缘；

通过第一刻蚀去除暴露的所述第一晶圆的边缘或暴露的所述第二晶圆的边缘的残留物；

通过第二刻蚀去除所述第一晶圆的正面或所述第二晶圆的正面的剩余保护层；

对所述第一晶圆的正面或所述第二晶圆的正面进行清洗工艺。

3.如权利要求2所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述保护层的厚度为所述保护层为光阻层或聚酰亚胺层。

4.如权利要求2所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述洗边工艺的洗边宽度为0.2mm～5.0mm。

5.如权利要求2所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述第一刻蚀和所述第二刻蚀均为干法刻蚀。

6.如权利要求5所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述第一刻蚀的刻蚀气体包括CF₄、CHF₃、C₄F₈、SF₆、Cl₂、HBr和BCl₃中至少一种，或者，所述第一刻蚀的刻蚀气体包括CF₄、CHF₃、C4F₈、SF₆、Cl₂、HBr和BCl₃中至少一种与Ar形成的混合气体。

7.如权利要求5所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述第一刻蚀的腔体压力为50mT～500mT，所述第一刻蚀的功率为100W～4000W，所述第一刻蚀的时间为10s～300s。

8.如权利要求5所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述第二刻蚀的刻蚀气体包括O₂、N₂、CF₄和N₂H₂中的至少一种。

9.如权利要求5所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述第二刻蚀的腔体压力为200mT～400mT，所述第二刻蚀的功率为300W～4000W，所述第二刻蚀的时间为20s～360s。

10.如权利要求2所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述清洗工艺的溶液包括氢氟酸、盐酸、双氧水、氨水和去离子水中的至少一种，所述清洗工艺的时间为5s～360s。