[发明专利]一种纳米花状聚吡咯氧化锰复合材料的制备方法及应用有效
| 申请号： | 201810323945.5 | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN108538646B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 白明华;刘锐;王莹;于湛;王艳;戚克振;付雅君 | 申请（专利权）人： | 沈阳师范大学 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/24;H01G11/30;H01G11/46;H01G11/48 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 甄玉荃 |
| 地址： | 110034 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 花状聚 吡咯 氧化锰 复合材料 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种纳米花状聚吡咯氧化锰复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：取乙酸锰、乙酸铵和吡咯，在恒电位条件下反应，在碳材料上电化学共沉积氧化锰和聚吡咯，制备纳米花状聚吡咯-氧化锰复合材料，然后用去离子水冲洗，烘干；
具体包括如下步骤：取 0.03 M 乙酸锰、0.05 M 乙酸铵和0.2 mL吡咯，在相对饱和甘汞电极为恒电位0.9 V的条件下反应45分钟，在碳材料上电化学共沉积氧化锰和聚吡咯，制备纳米花状聚吡咯-氧化锰复合材料，然后用去离子水冲洗，烘干；
制备的纳米花状聚吡咯氧化锰复合材料，具有大电位窗，相对饱和甘汞电极为恒电位的范围是：-0.3 ～ 0.9 V；
该材料可用作超级电容器电极材料，和聚吡咯可组装成对称型超级电容器。
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