[发明专利]OLED薄膜封装工艺及OLED薄膜封装系统

说明书

本发明提供了一种OLED薄膜封装系统，用于封装OLED器件，包括原子层沉积技术装置、待封装OLED器件、掩膜板以及放置于所述掩膜板上方的照射源。所述待封装OLED器件包括基板及OLED层。所述掩膜板包括镂空部和遮盖部，所述镂空部包括用以在所述基板上形成薄膜封装层的开孔，所述基板上形成薄膜封装层的区域为薄膜封装区域。所述遮盖部用以遮盖所述基板的非薄膜封装区域，所述遮盖部设有通孔，且在所述掩膜板与所述基板对位时，所述通孔与所述基板的Bonding区相对应。使用该OLED薄膜封装系统的OLED薄膜封装工艺使用照射源通过所述通孔照射Bonding区以分解Bonding区的前驱体，使得Bonding区的原子层沉积反应无法进行，阻止了Bonding区的薄膜生长，简化了工艺过程，降低了生产成本。

技术领域

本发明涉及有机光电器件技术领域，尤其涉及一种OLED薄膜封装工艺及OLED薄膜封装系统。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)器件具有响应速度快、视角宽、亮度高、低功耗等优异性能，并且为自发光器件，被认为是具有很大发展前景的下一代显示技术。硅基微显示器是一种高PPI(Pixels Per Inch)显示器件，其封装方式依旧沿用盖板式、Frit和薄膜封装(Thin Film Encapsulation)三种方式。综合三种方式的优缺点，薄膜封装比较适合硅基微显示器。

原子层沉积技术，是利用反应前驱体与衬底之间的气-固相反应，来完成薄膜工艺上的需求，由于在工艺上技术可以满足非常高精度要求，因此被人们视为一种先进的半导体工艺技术。原子层沉积技术反应过程由两个半反应构成，第一个半反应是有机物与基板化学键结合，后一个半反应是等离子气体与有机物反应生成副产物与膜材分子。采用ALD得到的膜层具有超薄、致密、覆盖率高等特点，广泛应用于OLED薄膜封装。请参图1所示，目前，在ALD沉积工艺中，掩膜板(Mask)10放置于基板20上方，由于膜材分子30的钻孔能力很强，往往会穿过掩膜板10与基板20之间的间隙，在不需要沉积薄膜的Bonding区40沉积一层薄膜层，导致无法实现贴合(Bonding)，影响后端模组工段。通常需要通过干刻曝光等工艺剥离该薄膜层，增加了设备投资成本及工艺环节，提高了生产成本。

有鉴于此，有必要设计一种改进的OLED薄膜封装工艺及OLED薄膜封装系统，以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够阻止Bonding区沉积薄膜层的OLED薄膜封装工艺及OLED薄膜封装系统。

为实现上述发明目的，本发明提供了一种OLED薄膜封装工艺，用于封装OLED器件，所述OLED器件包括基板及OLED层，所述OLED薄膜封装工艺包括如下步骤：

S1，将待封装OLED器件置于原子层沉积技术装置中；

S2，提供掩膜板，所述掩膜板包括镂空部和遮盖部，所述镂空部包括用以在所述基板上形成薄膜封装层的开孔，所述基板上形成薄膜封装层的区域为薄膜封装区域，所述遮盖部用以遮盖所述基板的非薄膜封装区域，所述遮盖部设有通孔，将所述掩膜板与所述基板相对放置，当所述掩膜板与所述基板对位时，所述通孔与所述基板的Bonding区相对应；

S3，提供照射源，所述照射源通过所述通孔照射所述Bonding区；

S4，向原子层沉积技术装置中通入前驱体；

S5，向原子层沉积技术装置中通入等离子气体，在所述基板的薄膜封装区域沉积薄膜封装层，所述Bonding区无薄膜封装层生成。

作为本发明的进一步改进，所述步骤S5包括如下步骤：

S51，所述前驱体与所述基板化学键结合；