[发明专利]低比表面积亚微米氧化铝的制备方法有效
| 申请号： | 201810324418.6 | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN108715650B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 郭庆;杨强 | 申请（专利权）人： | 雅安百图高新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C08K9/00 | 分类号： | C08K9/00;C08K3/22;C08J7/06;C09C1/40;C09C3/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 625100 四川省雅安市名山*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面积 微米 氧化铝 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.低比表面积亚微米氧化铝的制备方法，其特征在于包含以下步骤：
S1.原料挑选
取用市场上常规的煅烧氧化铝，晶型为α晶型，氧化铝含量大于99%；
S2.研磨
采用湿法球磨工艺将煅烧氧化铝研磨至中位粒径0.1~1μm；
S3.干燥
将湿法研磨的氧化铝进行干燥，除去水分；
S4.低温煅烧
将干燥后氧化铝于900~1200℃条件下进行煅烧；
S5.破碎
采用干法破碎工艺对低温煅烧的氧化铝进行破碎，即得到成品。
2.根据权利要求1所述的低比表面积亚微米氧化铝的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中煅烧氧化铝的原晶粒度小于1μm。
3.根据权利要求1所述的低比表面积亚微米氧化铝的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中湿法球磨工艺采用的设备为搅拌磨、砂磨或者行星磨。
4.根据权利要求1所述的低比表面积亚微米氧化铝的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中干燥方式采用喷雾干燥的方式或者先过滤后烘干的方式进行。
5.根据权利要求1所述的低比表面积亚微米氧化铝的制备方法， 其特征在于：所述步骤S5中干法破碎方法选用气流破碎或万能粉碎机破碎。
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