[发明专利]保护MEMS单元免受红外线检查的方法和MEMS单元在审
| 申请号： | 201810325459.7 | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN108726471A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | M.库尔齐克;O.维勒斯;S.齐诺贝尔;U.孔茨 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧永杰;申屠伟进 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 红外线检查 红外线光 掺杂的 漫散射 入射 反射 掺杂 吸收 | ||
1.一种用于保护MEMS单元（1）、尤其是MEMS传感器免遭红外线检查的方法，其中所述MEMS单元（1）的至少一个区域（16）被掺杂，其中至少一个经掺杂的所述区域将多于50%的、尤其是多于90%的入射到所述区域上的红外线光吸收、反射或漫散射。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一个区域（16）在制成所述MEMS单元（1）之前、尤其是在接合所述MEMS单元（1）的部分之前被掺杂。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述MEMS单元（1）的邻接到所述MEMS单元（1）的内部中的洞（15）处的区域被掺杂。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一个区域（16）在制造所述MEMS单元（1）之后被掺杂，尤其是，所述至少一个区域（16）包括所述MEMS单元（1）的外部表面的至少部分。
5.根据上述权利要求之一所述的方法，其特征在于，从每个入射角入射到所述至少一个区域上的至少50%、尤其是至少90%的红外线光被所述至少一个区域吸收、反射或漫散射。
6.根据上述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述至少一个区域（16）包括硅层，所述硅层尤其是掺杂有硼或磷。
7.根据上述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述至少一个区域（16）借助离子注入或借助沉积方法来被掺杂。
8.MEMS单元（1），尤其是MEMS传感器，所述MEMS单元具有至少一个经掺杂的区域（16），所述区域将多于50%的、尤其是多于90%的所入射的红外线光吸收、反射或漫散射。
9.根据权利要求8所述的MEMS单元（1），所述MEMS单元具有载体结构（11）、传感器结构（13）、洞（15）和传感器帽（14）。
10.根据权利要求9所述的MEMS单元（1），其特征在于，所述至少一个区域（16）被这样布置，使得来自每个方向的光在所述MEMS单元（1）的表面和所述洞（15）之间经过所述至少一个区域（16）。
11.根据权利要求9所述的MEMS单元（1），其特征在于，所述至少一个区域位于所述传感器帽（14）中。
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