[发明专利]输出入多工器有效
申请号: | 201810325654.X | 申请日: | 2018-04-12 |
公开(公告)号: | CN110379446B | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 杨书孟 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10;G11C7/12 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 王天尧 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输出 入多工器 | ||
1.一种输出入多工器,其特征在于,通过多个位线耦接一存储器阵列,该存储器阵列包括多个存储胞,该输出入多工器包括:
一位线放大器,耦接该多个位线中的一第一位线以及一第二位线,且在一高供应电压以及一低供应电压下操作以于一读取模式下放大该第一位线的电压位准与该第二位线的电压位准之间的一电压差,其中,于该读取模式的一第一选取期间,根据放大的该电压差,该位线放大器的一第一本地数据端的电压位准初始为一初始位准,且该位线放大器的一第二本地数据端的电压位准由该初始位准朝该低供应电压下降;
一位准提升电路,耦接该第一本地数据端与该第二本地数据端,且于该第一选取期间内,将该第一本地数据端的电压位准由该初始位准提升;以及
一感测放大器,耦接该第一本地数据端与该第二本地数据端,且于该读取模式,根据该第一本地数据端的被提升的电压位准以及该第二本地数据端的电压位准来产生对应该第一位线的一第一读出数据以及对应该第二位线的一第二读出数据。
2.如权利要求1所述的输出入多工器,其特征在于,该位准提升电路包括:
一第一晶体管,具有耦接该第二本地数据端的控制端、耦接该第一本地数据端的第一端、以及接收一可变电压的第二端;以及
一第二晶体管,具有耦接该第一本地数据端的控制端、耦接该第二本地数据端的第一端、以及接收该可变电压的第二端。
3.如权利要求2所述的输出入多工器,其特征在于,该可变电压的位准初始为该低供应电压的位准,于该第一选取期间内,该可变电压的位准提升至高于该高供应电压。
4.如权利要求3所述的输出入多工器,其特征在于,该可变电压的位准提升的时间点延迟于该第一选取期间的起始时间点。
5.如权利要求2所述的输出入多工器,其特征在于,该第一晶体管与该第二晶体管具有一临界电压,且该可变电压的最大值不超过该高供应电压与该临界电压的总和。
6.如权利要求2所述的输出入多工器,其特征在于,该第一晶体管以及该第二晶体管为P型晶体管。
7.如权利要求2所述的输出入多工器,其特征在于,更包括:
一第三晶体管,耦接于该第一本地数据端与该位准提升电路之间;以及
一第四晶体管,耦接于该第二本地数据端与该位准提升电路之间;
其中,该第三晶体管以及该第四晶体管于该读取模式下导通。
8.如权利要求7所述的输出入多工器,其特征在于,该第三晶体管以及该第四晶体管为N型晶体管。
9.如权利要求1所述的输出入多工器,其特征在于,更包括:
一写入放大器,耦接该第一本地数据端以及该第二本地数据端,且于一写入模式接收一写入数据;
其中,于该写入模式,该写入放大器根据该写入数据操作,使得该第一本地数据端的电压位准初始为该初始位准,且该第二本地数据端的电压位准由该初始位准朝该低供应电压下降;
其中,于该该写入模式的一第二选取期间,该位准提升电路将该第一本地数据端的电压位准由该初始位准提升;以及
其中,于该第二选取期间,该位线放大器根据该第一本地数据端的被提升电压位准以及该第二本地数据端的电压位准来改变该第一位线的电压位准以及该第二位线的电压位准,藉以将对应该写入数据的一电压写入至该多个存储胞中的一者。
10.如权利要求1所述的输出入多工器,其特征在于,该初始位准等于该高供应电压的位准。
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