[发明专利]培养基及其在中央记忆型T淋巴细胞培养中的应用

权利要求书

1.一种培养基，其特征在于，由基础培养基、0.1μmol/L～10μmol/L依维莫司、5×10⁴U/L～1×10⁶U/L白细胞介素-2、1ng/mL～60ng/mL白细胞介素-7、1ng/mL～100ng/mL白细胞介素-12、1ng/mL～60ng/mL白细胞介素-15、1ng/mL～60ng/mL白细胞介素-1a、1ng/mL～100ng/mL Anti-CD3抗体和1ng/mL～100ng/mL Anti-CD28抗体组成。

2.根据权利要求1所述的培养基，其特征在于，所述基础培养基为GT-T551培养基。

3.权利要求1所述的培养基在中央记忆型T淋巴细胞分离培养中的应用。

4.一种中央记忆型T淋巴细胞的分离培养方法，其特征在于，

以权利要求1所述的培养基重悬外周血单个核细胞后培养，每隔2～4天补加新鲜的权利要求1所述的培养基。

5.根据权利要求4所述的分离培养方法，其特征在于，所述重悬至外周血单个核细胞的密度为1×10⁵个/mL～1×10⁶个/mL。

6.根据权利要求4所述的分离培养方法，其特征在于，所述补加至细胞密度为0.5×10⁶个/mL～2.5×10⁶个/mL。

7.根据权利要求4所述的分离培养方法，其特征在于，所述培养至细胞铺满培养容器的底部，然后传代；所述传代包括，将贴壁细胞以权利要求1所述的培养基重悬后继续培养。