[发明专利]具有集成电流传感器的功率MOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种功率MOS器件，包括：

半导体本体，具有第一导电类型、第一表面和第二表面，所述半导体本体包括具有所述第一导电类型和第一掺杂等级的第一区域以及具有所述第一导电类型和大于所述第一掺杂等级的第二掺杂等级的漂移区域，所述漂移区域被布置在所述第一表面和所述第二表面之间；

功率MOS晶体管，具有第一导电端子、栅极端子和第二导电端子，所述功率MOS晶体管的第一导电端子电耦合至参考电位节点，所述功率MOS晶体管的栅极端子电耦合至驱动节点，并且所述功率MOS晶体管的第二导电端子电耦合至负载节点；

检测MOS晶体管，具有第一导电端子、栅极端子和第二导电端子，所述检测MOS晶体管的第一导电端子电耦合至检测节点，所述检测MOS晶体管的栅极端子电耦合至所述驱动节点，并且所述检测MOS晶体管的第二导电端子电耦合至所述负载节点；

检测电阻器，具有第一端子和第二端子，所述第一端子电耦合至所述参考电位节点；

开关，电耦合至所述检测电阻器的第二端子，并且被配置为将所述检测电阻器选择性地电耦合至所述检测节点，

其中所述功率MOS晶体管包括：

第一绝缘栅极区域和第二绝缘栅极区域，自所述第一表面布置在所述漂移区域内并且延伸进入所述半导体本体；

第一沟道区域，具有第二导电类型，布置在横向地位于所述第一绝缘栅极区域和所述第二绝缘栅极区域之间的所述漂移区域中；

第一源极区域，具有所述第一导电类型，并且布置在所述第一沟道区域和所述半导体本体的第一表面之间，所述第一源极区域邻接所述第一绝缘栅极区域和所述第二绝缘栅极区域并从第一绝缘栅极区域向所述第二绝缘栅极区域横向延伸，所述功率MOS晶体管的所述第二导电端子包括所述第一源极区域；

所述检测MOS晶体管包括：

第三绝缘栅极区域和第四绝缘栅极区域，自所述第一表面布置在所述半导体本体的所述第一区域内；

第二沟道区域，具有所述第二导电类型，布置所述第三绝缘栅极区域和所述第四绝缘栅极区域之间的所述半导体本体的所述第一区域中；

第二源极区域，具有所述第一导电类型，并且布置在所述第二沟道区域和所述半导体本体的第一表面之间，所述检测MOS晶体管的所述第二导电端子包括所述第二源极区域；

所述开关包括：

第三沟道区域，具有所述第二导电类型，布置在所述半导体本体的所述第一区域并且邻近所述第三绝缘栅极区域；以及

第三源极区域，具有所述第一导电类型，并且布置在所述第三沟道区域和所述半导体本体的第一表面之间；以及

所述检测电阻器包括布置在所述第二沟道区域和所述第三沟道区域下方的所述半导体本体的所述第一区域的电阻检测部分。

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述开关包括电耦合至控制节点的控制端子，所述控制节点不同于所述驱动节点、并且独立于所述驱动节点。

3.根据权利要求1所述的器件，其中所述开关包括具有第一导电端子、控制端子和第二导电端子的连接MOS晶体管，所述连接MOS晶体管的第一导电端子电耦合至所述检测节点，所述连接MOS晶体管的控制端子被配置为接收驱动信号，并且所述连接MOS晶体管的第二导电端子形成检测端子，并且所述第三源极区域被耦合至所述第二导电端子。

4.根据权利要求3所述的器件，其中所述连接MOS晶体管的控制端子电耦合至所述驱动节点。

5.根据权利要求1所述的器件，包括：

第五绝缘栅极区域，自所述第一表面布置在所述半导体本体内；

所述半导体本体的耦合部分，布置在所述半导体本体的第一表面下方，并且位于所述第三绝缘栅极区域和所述第五绝缘栅极区域之间；以及

第一接触区域，从所述第一表面延伸到所述耦合部分中，并且形成所述检测节点。

6.根据权利要求5所述的器件，其中所述漂移区域的布置在所述第二绝缘栅极区域和所述第五绝缘栅极区域之间的部分形成无源部分。