[发明专利]一种量子点光电探测器的制备方法

权利要求书

1.一种量子点光电探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1制备配体气氛：将有机物配体溶于溶剂中以形成配体溶液，使配体溶液以气体的形式充满整个密闭空间，进而制备获得配体气氛，其中，有机物配体为MPA、CTAB或EDT；

S2制备量子点气体钝化薄膜：在基底上制备量子点薄膜，并将制备有量子点薄膜的基底放置在步骤S1制备的配体气氛中，以使配体气氛中的有机物配体钝化量子点表面，其中，所述量子点为PbS、PbSe、CsPbX₃、MAPbX₃中的一种，其中X=Cl、Br或I；

S3制备量子点光电探测器电极：最后在已钝化的量子点薄膜表面制备电极以制备获得量子点光电探测器。

2.如权利要求1所述的量子点光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤S1包括如下子步骤：

S11配备一定浓度的配体溶液，然后将配体溶液放入充满惰性气体的密闭容器中；

S12调节密闭容器中的温度和压强，使配体溶液以气体形式充满整个密闭容器，并使密闭容器内气体的浓度达到预设值。

3.如权利要求1所述的量子点光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤S2包括如下子步骤：

S21将基底依次在丙酮、乙醇和水中进行超声清洗，然后用氮气或氩气将清洗后的基底吹干；

S22利用等离子清洗机在氧气气氛下活化处理吹干后的基底表面，使基底表面活化；

S23配置量子点溶液，以该量子点溶液作为制备量子点光电探测器的原料；

S24加热基底表面以去除基底表面的残余杂质，在基底表面制备量子点薄膜；

S25将制备有量子点薄膜的基底放置在步骤S1制备的配体气氛中，以使配体气氛中的有机物配体对量子点表面进行充分钝化。

4.如权利要求3所述的量子点光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤S25之后还包括如下步骤：

S26在量子点表面钝化后取出基底，继续在已钝化的量子点表面制备量子点薄膜；

S27将制备有量子点薄膜的基底继续放置在配体气氛中，以使配体气氛中的有机物配体对量子点表面进行充分钝化；

S28重复步骤S26-S27，直至获得具有所需层数的量子点薄膜。

5.如权利要求3或4所述的量子点光电探测器的制备方法，其特征在于，量子点薄膜的层数为1-10层，单层量子点薄膜的厚度为1nm-500nm。

6.如权利要求2所述的量子点光电探测器的制备方法，其特征在于，配体溶液的浓度为1mg/ml～100mg/ml，密闭容器内的温度在20℃-50℃之间，并且密闭容器内的压强在1Kpa-100Kpa之间，配体气氛的浓度为1mg/L～100mg/L。

7.如权利要求3所述的量子点光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤S21中基底在丙酮、乙醇和水中的清洗时间均为5min-15min；步骤S22中活化时间为10min-30min；步骤S23中配置的量子点溶液的浓度为1mg/ml-10mg/ml；步骤S24中基底表面的加热温度为50℃-200℃，加热时间为0.5h-2h，采用旋涂法在基底表面制备量子点薄膜；步骤S25中基底在配体气氛中放置的时间为1min-60min。

8.如权利要求7所述的量子点光电探测器的制备方法，其特征在于，利用旋涂仪在基底表面制备量子点薄膜时，旋涂仪的转速为100rpm-2000rpm，加速度为1m/s²-15m/s²。

9.如权利要求2所述的量子点光电探测器的制备方法，其特征在于，密闭容器中的惰性气体为氮气、氩气中的一种或多种。

10.如权利要求1所述的量子点光电探测器的制备方法，其特征在于，溶剂为甲苯、乙腈、氯仿中的一种；量子点薄膜表面制备的电极的厚度为10nm-200nm，电极沟道宽度为100nm-100μm。