[发明专利]一种提高非晶金属薄膜材料抗晶化能力的结构及其制备方法

权利要求书

1.一种提高非晶金属薄膜材料抗晶化能力的结构，其特征在于，包括非晶金属薄膜，非晶金属薄膜的下表面和上表面均覆盖有晶体层，形成三明治层状结构；

晶体层为与非晶金属薄膜的元素不同的金属材料；

晶体层材质与非晶金属薄膜的热膨胀系数不同；

非晶金属薄膜的厚度大于覆盖在非晶金属薄膜下表面和上表面的晶体层厚度。

2.根据权利要求1所述的一种提高非晶金属薄膜材料抗晶化能力的结构，其特征在于，晶体层材质为钨或银，非晶金属薄膜材质为镍铌。

3.根据权利要求1所述的一种提高非晶金属薄膜材料抗晶化能力的结构，其特征在于，非晶金属薄膜及其下表面和上表面覆盖的晶体层均采用磁控溅射方法制备。

4.根据权利要求1所述的一种提高非晶金属薄膜材料抗晶化能力的结构，其特征在于，晶体层材质为钨，非晶金属薄膜材质为镍铌，形成W/NiNb/W三明治层状结构；NiNb非晶金属薄膜的厚度为600nm，两层钨晶体层的厚度均为60nm。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的一种提高非晶金属薄膜材料抗晶化能力的结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将基底清洁干净，放入超高真空磁控溅射设备基片台上；将需要溅射的金属靶材置于靶材底座上；

2)晶体层的制备采用连续沉积镀膜方式；得到晶体层后暂停设备，待到薄膜完全冷却，再进行非晶金属薄膜的制备；

3)非晶金属薄膜的制备采用间歇沉积方法，每沉积15～30分钟，暂停溅射5～10分钟，等待薄膜冷却，再进行下一非晶金属薄膜的制备，沉积速率为5-6nm/s；待到非晶层厚度达到预定值，则非晶金属薄膜制备完毕；

4)薄膜完全冷却后再以步骤2)中同样方法制备晶体层；最终得到三明治层状结构。