[发明专利]制备SiC单晶的方法有效
申请号: | 201810328146.7 | 申请日: | 2018-04-13 |
公开(公告)号: | CN108728897B | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 新谷尚史;滨口优;山形则男;美浓轮武久 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | C30B19/04 | 分类号: | C30B19/04;C30B19/12;C30B29/36 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 李跃龙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 sic 方法 | ||
1.一种通过布置籽晶与在坩埚中的Si-C熔液接触并使SiC单晶从籽晶生长的熔液法来制备SiC单晶的方法,所述方法包括:
使用构成籽晶的SiC单晶的(0001)或(000-1)平面作为生长表面进行晶体生长的第一生长步骤,和
使用得自第一生长步骤的SiC单晶的(1-100)或(11-20)平面作为生长表面进行晶体生长的第二生长步骤。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括在所述第二生长步骤之前从得自第一生长步骤的SiC单晶切出(1-100)或(11-20)平面的步骤。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,在第二生长步骤中,使得自第一生长步骤的在第一生长步骤中已生长的SiC单晶的部分的(1-100)或(11-20)平面作为生长表面。
4.根据权利要求1所述的方法,还包括在所述第一生长步骤之前,从构成籽晶的SiC单晶切出(0001)或(000-1)平面的步骤。
5.如权利要求1所述的方法,其中Si-C熔液含有选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Ho、Lu、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Al、Ga、Ge、Sn、Pb和Zn的至少一种元素M。
6.根据权利要求5所述的方法,其中Si-C熔液含有基于Si和M的总量为1至80原子%含量的金属元素M。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述坩埚是石墨或SiC坩埚。
8.如权利要求7所述的方法,其中所述坩埚是氧含量为至多100ppm的SiC坩埚。
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