[发明专利]编程非易失性存储器的方法及存储器系统在审
| 申请号： | 201810328279.4 | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN109473139A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 古绍泓;林大卫;程政宪;李致维;蔡文哲 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张宇园 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储单元 非易失性存储器 编程 编程验证操作 读取操作 脉冲 存储器系统 错误位数 阶跃脉冲 序列增量 再编程 施加 验证 读取参考电压 最小化 | ||
1.一种编程一非易失性存储器的方法，包括：
对于该非易失性存储器的一存储单元执行一编程及编程验证操作，其中该编程及编程验证操作包括施加一序列增量阶跃脉冲至该存储单元；
在该存储单元通过该编程及编程验证操作后，对于该存储单元执行一再验证操作；
若是该存储单元未通过该再验证操作，施加一再编程脉冲至该存储单元，其中该再编程脉冲的振幅大于该序列增量阶跃脉冲的最后脉冲的振幅；
对于该非易失性存储器执行一读取操作，以取得对应该读取操作的一错误位数；以及
调整该读取操作的一读取参考电压以最小化该错误位数。
2.如权利要求1所述的编程该非易失性存储器的方法，其中该再编程脉冲的振幅与该序列增量阶跃脉冲的最后脉冲的振幅两者之间的差值介于0.5V到0.9V之间。
3.如权利要求1所述的编程该非易失性存储器的方法，其中该序列增量阶跃脉冲的振幅以一步距递增，该再编程脉冲的振幅与该序列增量阶跃脉冲的最后脉冲的振幅两者之间的差值介于该步距到该步距的两倍之间。
4.如权利要求3所述的编程该非易失性存储器的方法，其中该步距介于0.2V到0.6V之间。
5.如权利要求1所述的编程该非易失性存储器的方法，其中对于该存储单元的该再验证操作包括多个再编程验证操作，若是该存储单元未通过该多个再编程验证操作的其中至少之一，则该存储单元未通过该再验证操作。
6.一种存储器系统，包括：
一非易失性存储器；以及
一控制器，该控制器用以：
对于该非易失性存储器的一存储单元执行一编程及编程验证操作；
在该存储单元通过该编程及编程验证操作后，对于该存储单元执行一再验证操作；
若是该存储单元未通过该再验证操作，施加一再编程脉冲至该存储单元；
对于该非易失性存储器执行一读取操作，以取得对应该读取操作的一错误位数；以及
调整该读取操作的一读取参考电压以最小化该错误位数；
其中于该编程及编程验证操作中该控制器用以施加一序列增量阶跃脉冲至该存储单元，该再编程脉冲的振幅大于该序列增量阶跃脉冲的最后脉冲的振幅。
7.如权利要求6所述的存储器系统，其中该再编程脉冲的振幅与该序列增量阶跃脉冲的最后脉冲的振幅两者之间的差值介于0.5V到0.9V之间。
8.如权利要求6所述的存储器系统，其中该序列增量阶跃脉冲的振幅以一步距递增，该再编程脉冲的振幅与该序列增量阶跃脉冲的最后脉冲的振幅两者之间的差值介于该步距到该步距的两倍之间。
9.如权利要求8所述的存储器系统，其中该步距介于0.2V到0.6V之间。
10.如权利要求6所述的存储器系统，其中对于该存储单元的该再验证操作包括多个再编程验证操作，若是该存储单元未通过该多个再编程。
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