[发明专利]存储器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器装置，其特征在于，包括：

一基板；

多个第一栅极结构，形成于该基板上；

一第一介电层，形成于该些第一栅极结构的顶表面及侧壁上；

一第二介电层，形成于该第一介电层上，其中该第二介电层与该第一介电层直接接触，且该第二介电层与该第一介电层为相同材料；

一第三介电层，形成于该些第一栅极结构之间，且定义出暴露出该基板的多个接触孔；以及

一接触插塞，填入该些接触孔中，

其中，该存储器装置具有一阵列区及一周边区，该些第一栅极结构形成于该阵列区中，在该阵列区中，位于该第一栅极结构上的该第二介电层的宽度小于位于该第一栅极结构上的该第一介电层的宽度。

2.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该第一介电层及该第三介电层为氮化物。

3.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该第一介电层、该第二介电层及该第三介电层为相同材料。

4.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，从该第一栅极结构的顶表面起算的该第一介电层与该第二介电层的总厚度为50-150nm。

5.如权利要求2所述的存储器装置，其特征在于，更包括一间隙填充介电结构，其中在该阵列区中，该间隙填充介电结构只位于最靠近该周边区的该第一栅极结构上的该第一介电层的一外侧侧壁上，该间隙填充介电结构的顶表面与该第一介电层的顶表面共平面，且该间隙填充介电结构与该第一介电层为不同材料。

6.如权利要求5所述的存储器装置，其特征在于，更包括一第二栅极结构，形成于该周边区中，其中该第一介电层更形成于该第二栅极结构的顶表面及侧壁上，且该间隙填充介电结构位于该第二栅极结构两侧的该第一介电层的侧壁上。

7.如权利要求6所述的存储器装置，其特征在于，该第二介电层延伸覆盖于该间隙填充介电结构上。

8.如权利要求6所述的存储器装置，其特征在于，该间隙填充介电结构为氧化物，且位于该阵列区的该第二介电层的顶表面与位于该周边区的该第二介电层的顶表面共平面。

9.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该第一介电层具有从该第一栅极结构的顶表面起算的一第一厚度T1，该第二介电层具有从该第一介电层的顶表面起算的一第二厚度T2，且该第一厚度T1对该第二厚度T2的比率(T1/T2)为0.1-10.0。

10.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，在该阵列区中该接触插塞的一侧壁与该第三介电层直接接触。

11.一种存储器装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

形成多个第一栅极结构于该基板上；

形成一第一介电层覆盖于该基板及该些第一栅极结构的顶表面及侧壁上，且该第一介电层未填满该些第一栅极结构之间的沟槽；

形成一间隙填充介电结构于该第一介电层上并填入该沟槽中，该间隙填充介电结构与该第一介电层为不同材料，其中形成该间隙填充介电结构的步骤包括平坦化步骤，使该间隙填充介电结构的顶表面与该第一介电层的顶表面共平面；

形成一第二介电层于该第一介电层及该间隙填充介电结构上，其中该第二介电层与该第一介电层直接接触，且该第二介电层与该第一介电层为相同材料；

进行一第一刻蚀制程，移除位于该些第一栅极结构之间的该第二介电层及该间隙填充介电结构；

形成一第三介电层于该些第一栅极结构之间，且定义出暴露出该基板的多个接触孔；以及

填入一导电材料于该些接触孔中，以形成一接触插塞，

其中，该存储器装置具有一阵列区及一周边区，该些第一栅极结构形成于该阵列区中。