[发明专利]增强的窗构件及其制造方法

说明书

提供了一种窗构件和一种制造该窗构件的方法。所述方法包括对初始窗构件执行包括执行第一离子交换处理的第一增强操作。第一离子交换处理包括在等于或大于大约500℃的第一温度的温度下施加离子盐。应力消除操作包括对被执行了第一增强操作的初始窗构件执行热处理和/或盐处理。第二增强操作包括对被执行了应力消除操作的初始窗构件执行第二离子交换处理。

本专利申请要求于2017年4月13日提交的第10-2017-0048080号韩国专利申请和于2017年10月19日提交的第10-2017-0136116号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种窗构件，更具体地，涉及一种增强的窗构件以及一种制造该增强的窗构件的方法。

背景技术

通常，具有显示屏的电子装置包括通过其可以看到显示屏的窗构件。容纳构件可以容纳电子装置、显示屏和窗构件。

窗构件保护显示屏和电子装置，并为用户提供通过其可以观察到图像并且可以接收触摸输入的有效区域。因此，用户通过窗构件向电子装置提供输入或接收由电子装置产生的信息。此外，通过窗构件保护电子装置不受外部冲击的影响。

发明内容

一种制造窗构件的方法包括对初始窗构件执行包括执行第一离子交换处理的第一增强操作。第一离子交换处理包括在等于或大于大约500℃的第一温度的温度下施加离子盐。应力消除操作包括对被执行了第一增强操作的初始窗构件执行热处理和/或盐处理。第二增强操作包括对被执行了应力消除操作的初始窗构件执行第二离子交换处理。

一种制造窗构件的方法包括对初始窗构件执行包括执行第一离子交换处理的第一增强操作，从而使初始窗构件具有第一表面压应力和第一压缩深度。应力消除操作包括对被执行了第一增强操作的初始窗构件执行热处理和/或盐处理，从而使第一表面压应力减小至第二表面压应力并且从而使第一压缩深度变为不同于第一压缩深度的第二压缩深度。第二增强操作包括对被执行了应力消除操作的初始窗构件执行第二离子交换处理，从而使第二表面压应力增大至第三表面压应力。

窗构件包括包含第一表面和在第一方向上面对第一表面的第二表面的基体。基体具有在第一方向上限定的厚度。第一离子盐分布在基体中并且每个第一离子盐具有第一离子半径。第二离子盐分布在基体中并且每个第二离子具有大于第一离子半径的第二离子半径。根据从基体的第一表面沿第一方向增大的深度的压应力变化形成第一曲线，第一曲线在压应力大于大约0MPa的深度范围内包括斜率的绝对值小于大约2MPa/μm的点。

窗构件包括第一表面和面对第一表面的第二表面。窗构件具有在第一表面和第二表面之间的在第一方向上限定的厚度。窗构件在第一表面上具有小于大约150MPa的压应力，并且具有根据从第一表面沿第一方向增大的深度变化的压应力曲线。压应力曲线包括在等于或小于转变点的深度处的第一曲线和在大于转变点的深度处的第二曲线。第一曲线具有等于或大于大约-200MPa/μm且等于或小于大约-40MPa/μm的平均斜率。第二曲线具有与第一曲线不同的平均斜率。转变点大于大约15μm。

一种制造窗构件的方法包括执行第一增强操作，所述第一增强操作包括在等于或大于大约500℃的第一温度下使初始窗构件暴露于第一增强环境的离子交换处理操作。第一增强环境包括第一离子盐。第二增强操作包括在小于大约500℃的第二温度下将第一增强的初始窗构件提供到第二增强环境，从而对第一增强的初始窗构件执行离子交换处理。第二增强环境包括第二离子盐。

附图说明

当结合附图考虑时，通过参照下面的详细描述，本公开的更完整的理解和本公开的许多附加的方面将变得显而易见，在附图中：

图1A是示出根据本公开的示例性实施例的电子装置的组装的透视图；

图1B是示出图1A中示出的电子装置的分解的透视图；