[发明专利]一种基于纳米压印图形化ITO Mesh的LED芯片制备工艺在审
| 申请号： | 201810330325.4 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN108428769A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 李明;张放心;张昕昱;刘文 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 | 代理人： | 段晓微 |
| 地址： | 230088 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米压印图形 湿法蚀刻 制备工艺 溅射 孔洞 电流扩散效率 纳米压印技术 出纳米级 纳米压印 设备用量 纳米级 清洗台 图形化 微米级 压印胶 药水 底胶 去除 生产成本 制作 | ||
1.一种基于纳米压印图形化ITO Mesh的LED芯片制备工艺，其特征在于，所述工艺包括图形化ITO Mesh的制备，所述图形化ITO Mesh的制备方法如下述步骤：利用纳米压印技术制作出纳米级的Mesh图形，打掉底胶，露出GaN，溅射ITO，去除压印胶，得到图形化ITOMesh。
2.根据权利要求1所述基于纳米压印图形化ITO Mesh的LED芯片制备工艺，其特征在于，采用氧等离子体打掉底胶。
3.根据权利要求1或2所述基于纳米压印图形化ITO Mesh的LED芯片制备工艺，其特征在于，所述GaN为P型GaN。
4.根据权利要求1-3任一项所述基于纳米压印图形化ITO Mesh的LED芯片制备工艺，其特征在于，所述溅射的环境温度为常温。
5.根据权利要求1-4任一项所述基于纳米压印图形化ITO Mesh的LED芯片制备工艺，其特征在于，所述溅射的ITO厚度为40-80nm。
6.根据权利要求1-5任一项所述基于纳米压印图形化ITO Mesh的LED芯片制备工艺，其特征在于，所述溅射的直流功率为600-700W。
7.根据权利要求6所述基于纳米压印图形化ITO Mesh的LED芯片制备工艺，其特征在于，所述溅射的直流功率为625W。
8.根据权利要求5所述基于纳米压印图形化ITO Mesh的LED芯片制备工艺，其特征在于，所述溅射的ITO厚度为60nm。
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