[发明专利]发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置有效
申请号: | 201810330773.4 | 申请日: | 2013-08-02 |
公开(公告)号: | CN108321303B | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 濑尾广美;濑尾哲史 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李志强;杨思捷 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 装置 电子设备 以及 照明 | ||
1.一种发光元件,包括:
一对电极;以及
所述一对电极之间的层,
其中所述层包括:
具有电子传输性的第一有机化合物;
第二有机化合物;以及
能够将三重态激发能转换成发光的化合物,
所述第一有机化合物能够与所述第二有机化合物形成激基复合物,
所述第二有机化合物包含对苯二胺骨架,
所述化合物包含热活化延迟荧光材料,以及
能量从所述激基复合物的三重激发态能级转移到所述能够将三重态激发能转换成发光的化合物。
2.根据权利要求1的发光元件,
其中所述第二有机化合物包含4-(9
3.根据权利要求1的发光元件,
其中所述激基复合物的发射光谱与所述能够将三重态激发能转换成发光的化合物的吸收光谱重叠。
4.根据权利要求1的发光元件,
其中所述激基复合物的发射峰波长与所述能够将三重态激发能转换成发光的化合物的发射峰波长的差值为0.1 eV以内。
5.根据权利要求1的发光元件,
其中所述第一有机化合物具有10-6 cm2/Vs以上的电子迁移率。
6.根据权利要求1的发光元件,
其中所述激基复合物的S1能级与T1能级之间的差异小于所述第一有机化合物的S1能级与T1能级之间的差异,以及
所述激基复合物的S1能级与T1能级之间的差异小于所述第二有机化合物的S1能级与T1能级之间的差异。
7.根据权利要求1的发光元件,
其中所述第一有机化合物包含缺π电子杂芳香化合物。
8.根据权利要求7的发光元件,
其中所述第一有机化合物包含含氮杂芳香化合物。
9.一种发光装置,包括根据权利要求1-8中任一项的发光元件。
10.一种发光装置,包括:
包括以下的像素部:
晶体管;以及
根据权利要求1-8中任一项的发光元件,
其中所述发光元件电连接于所述晶体管。
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