[发明专利]用于在半导体装置中产生互连的方法

权利要求书

1.一种用于在工件中形成金属化的方法，所述方法包括：

在所述工件上电化学沉积第二金属化层，所述工件包括非金属基板和连续的第一金属化层，所述非金属基板具有设置在基板之上的介电层，所述连续的第一金属化层设置在所述介电层上并且具有至少一个微特征结构，所述微特征结构包括凹槽化结构，其中所述第一金属化层至少部分地填充所述工件上的特征结构，此处所述第一金属化层是钴或镍金属层，并且其中所述第二金属化层是与所述第一金属化层的金属不同的钴或镍金属层；

在填充所述特征结构之后，电化学沉积金属覆盖层；和

退火所述工件以使所述第二金属化层的金属扩散到所述第一金属化层的金属中，

其中在沉积所述第二金属化层之前退火所述工件以回流所述第一金属化层。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一和第二金属化层是单金属层或金属合金层。

3.如权利要求2所述的方法，其中形成合金的金属包含过渡金属或贵金属。

4.如权利要求2所述的方法，其中形成合金的金属选自由Ag、Au、Co、Ni、Pd和Pt组成的群组。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一金属化层是种晶层。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述第二金属化层部分地填充所述特征结构，并且所述方法进一步包括：在施加所述覆盖层之前，电化学沉积第三金属化层以进一步部分地填充或完全地填充所述特征结构。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述第三金属化层是钴或镍金属层。

8.如权利要求1所述的方法，其中对所述工件的所述退火以受控的方式进行以限制所述第二金属化层的合金元素到所述特征结构的上部的扩散。

9.如权利要求1所述的方法，其中进行对所述工件的所述退火以使所述第二金属化层的合金元素均匀地扩散遍及整个所述特征结构。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述工件进一步包括所述介电层与所述第一金属化层之间的阻挡层。

11.如权利要求1所述的方法，进一步包括使用CMP以暴露所述工件的上表面。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述第一金属化层是共形层。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述第二金属化层是共形层。