[发明专利]含闭环噻吩马来酰亚胺的聚合物制备及其在电存储器件上应用

权利要求书

1.一种含闭环噻吩马来酰亚胺的聚合物制备及其在电存储器件上应用，其特征是：

1）采用suzuki偶联反应将等摩尔量的开环噻吩马来酰亚胺单体和芴单体或咔唑单体通过偶联反应合成得到D-A型含开环噻吩马来酰亚胺基团的聚合物；

2）取氯苯溶剂，将上述聚合物配置成D-A型含开环噻吩马来酰亚胺基团的聚合物溶液；

3）述方法制备的聚合物溶液用匀胶机在洁净的ITO玻璃基底上旋涂成紫色的聚合物固体薄膜；

4）通过真空蒸镀法，在旋涂得到的紫色的聚合物固体薄膜上蒸镀金属银或铝电极，利用特定光源进行照射，此时紫色的聚合物固体薄膜转变为无色，聚合物固体薄膜结构中的开环噻吩马来酰亚胺基团转化为闭环噻吩马来酰亚胺基团，最后得到有机电存储器件。

2.一种含闭环噻吩马来酰亚胺的聚合物制备及其在电存储器件上应用，其特征是所述的开环噻吩马来酰亚胺单体具体为3,4-二（2-溴噻吩）马来酰亚胺单体、N-辛基-3,4-二（2-溴噻吩）马来酰亚胺单体、N-（2-乙基己基）-3,4-二（2-溴噻吩）马来酰亚胺单体、N-苄基-3,4-二（2-溴噻吩）马来酰亚胺单体。

3.一种含闭环噻吩马来酰亚胺的聚合物制备及其在电存储器件上应用，其特征是所述的芴单体，具体指芴或芴的五元环上的碳有取代基的芴类衍生物单体，具体为2,7-芴双硼脂单体、9,9’-二辛基-2,7-芴双硼脂单体、9,9’-（2-乙基己基）-2,7-芴双硼脂单体。

4.一种含闭环噻吩马来酰亚胺的聚合物制备及其在电存储器件上应用，其特征是所述的咔唑类衍生物，具体指咔唑或咔唑类衍生物，具体为2,7-咔唑双硼脂单体、N-辛基-2,7-咔唑双硼脂单体、N-（2-乙基己基）-2,7-咔唑双硼脂单体。

5.一种含闭环噻吩马来酰亚胺的聚合物制备及其在电存储器件上应用，其特征是所述的特定光源，是指波长200-400nm紫外光光源、波长为400-760nm可见光光源或波长为400-800nm太阳光模拟器光源。

6.一种含闭环噻吩马来酰亚胺的聚合物制备及其在电存储器件上应用，其特征是所述的照射，其照射亮度为1-50 W/sr/m²，照射距离为8-12cm。

7.一种含闭环噻吩马来酰亚胺的聚合物制备及其在电存储器件上应用，其特征是所述的聚合物溶液，其浓度为5-20 mg / mL。

8.一种含闭环噻吩马来酰亚胺的聚合物制备及其在电存储器件上应用，其特征是所述的旋涂，匀胶机旋涂转速600~4000 rpm，聚合物薄膜厚度为30~100 nm。

9.一种含闭环噻吩马来酰亚胺的聚合物制备及其在电存储器件上应用，其特征是所述的洁净的ITO玻璃基底，其处理过程如下：将ITO导电玻璃切割成1.95cm×1.95cm的方片；将方片依次用洗涤剂、蒸馏水、丙酮和异丙醇分别超声清洗各20min，用氮气吹干表面的溶剂，在热台上120℃加热15 min，然后用等离子体-臭氧机照射处理15min。