[发明专利]一种用于单晶硅拉制过程的氮气控制配盘及方法

说明书

本发明提供一种用于单晶硅拉制过程的氮气控制配盘，包括：氮气供给通道，包括质量流量控制器，用于控制通入氮气的流量；氩气供给通道，用于通入氩气；总配通道，与所述氮气供给通道和所述氩气供给通道均连通，根据所述通入氮气和所述通入氩气的流量进行配比，将配比后的气体通出，并且提供一种用于单晶硅拉制过程的氮气控制配盘的方法，本发明的有益效果是可以通过工艺参数任意调节氮气、氩气的流量比例，实现氮气、氩气的平稳切换，通过电磁阀的作用防止意外发生，增加了氮气拉晶的安全性。

技术领域

本发明属于单晶硅生产技术领域，尤其是涉及一种用于单晶硅拉制过程中配合氩气共同进行拉晶的氮气控制配盘及方法。

背景技术

在现有技术中，硅单晶拉晶生产的过程中，采用高纯氩气作为保护气，导致生产成本不断增加，因此，通过通入氩气与氮气的混合气来降低生产成本，但是氩气与氮气的比例在实际生产的过程中控制困难，增加生产负担。

因此，需要一种氮气配盘来完成此生产难题，现有的氮气配盘大多是一些从头到尾使用氮气进行拉晶的配盘，其设计跟氩气配盘大同小异，或者是氮气氩气来回切换的配盘，同一时间只能使用一种气体进行拉晶，不能满足氮气氩气精准切换的生产需求，存在氮气氩气切换的过程中控制不精确，影响单晶硅的生产质量的问题。

发明内容

本发明的目的是要解决背景技术中的问题，提供一种用于单晶硅拉制过程中配合氩气共同进行拉晶的氮气控制配盘及方法。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种用于单晶硅拉制过程的氮气控制配盘，包括：

氮气供给通道，包括质量流量控制器，用于控制通入氮气的流量；

氩气供给通道，用于通入氩气；

总配通道，与所述氮气供给通道和所述氩气供给通道均连通，根据所述通入氮气和所述通入氩气的流量进行配比，将配比后的气体通出。

优选地，所述氮气供给通道包括第一氮气供给通道和第二氮气供给通道，所述第二氮气供给通道包括所述质量流量控制器，所述第一氮气供给通道和所述第二氮气供给通道均与所述总配通道连通。

优选地，所述氮气供给通道还包括第三氮气供给通道，所述第三氮气供给通道用于连通氮气气源，所述第三氮气供给通道分别与所述第一氮气供给通道和所述第二氮气供给通道连通。

优选地，所述第一氮气供给通道上依次设有第一氮气入口、压力传感器、第一电磁阀和第一氮气出口，所述第一氮气出口与总配通道入口连通。

优选地，所述第二氮气供给通道上依次设有第二氮气入口、氮气流量控制旋钮、质量流量控制器、第二电磁阀和第二氮气出口，所述氮气流量控制旋钮与氮气流量表连接，所述第二氮气出口与总配通道入口连通。

优选地，所述第三氮气供给通道包括第三氮气入口与第三氮气出口，所述第三氮气入口连接所述氮气气源，所述第三氮气出口与所述第一氮气入口和所述第二氮气入口均连通。

一种用于单晶硅拉制过程的氮气控制方法，应用上述的氮气控制配盘，所述总配通道设有预设总通量，包括如下步骤：

S1：确定当前时刻的氮气的预设通入量；

S2：根据所述氮气的预设通入量，调节所述第二氮气供给通道的质量流量控制器，以使所述氮气向所述总配通道通入的氮气通入量与所述预设通入量相当；

S3：判断所述氮气的预设通入量是否小于所述总配通道的预设总通量；

若是，则通过所述第二氩气供给通道向所述总配通道通入氩气，利用所述氩气将所述预设总通量与所述氮气的预设通入量之间的差额进行配比补齐；

S4：通过所述总配通道，根据所述预设总通量将所通入的气体进行输出。