[发明专利]集光电极和微电极一体的生物神经芯片及其制备方法在审
申请号: | 201810332745.6 | 申请日: | 2018-04-13 |
公开(公告)号: | CN108389931A | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 张佰君;梁捷智;温耀辉 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01L31/14 | 分类号: | H01L31/14;H01L25/075;H01L23/31 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 陈伟斌 |
地址: | 510275 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微电极 光电极 电极 神经细胞 金属电极 金属线路 神经芯片 集光 制备 氮化镓基发光二极管 透明薄膜电极 电位 半导体器件 发光二极管 透明导电层 温度传感器 电位变化 集成一体 神经电流 神经信号 外加信号 研究生物 转换效率 光刺激 植入 探测 测量 体内 芯片 测试 神经 刺激 | ||
1.集光电极和微电极一体的生物神经芯片,其特征在于,包括光电极部分以及微电极部分,所述的光电极部分包括氮化镓基发光二极管、金属电极、透明导电层、温度传感器、金属线路和PAD电极;微电极部分包括透明薄膜电极或金属电极、金属线路和PAD电极。
2.根据权利要求1所述的集光电极和微电极一体的生物神经芯片,其特征在于:所述的光电极所使用的外延叠层,其材料可以是氮化镓,铟铝镓氮等材料,适用于发出470nm的光信号;其外延叠层上的透明薄膜导电层,可以是氧化铟锡、铟镓锌氧化物、氧化锌、氧化铱、薄Ni/Au等任何透光导电材料;光电极所采用的n极和p极金属电极,可以是Ni/Au、Ti/Au、Ti/Al/Ni/Au等合金。
3.根据权利要求1所述的集光电极和微电极一体的生物神经芯片,其特征在于:所述的微电极所采用的材料,根据其与光电极的相对位置,可以是透明的,也可以是不透明的;透明微电极所采用的金属材料,可以是ITO、IGZO、ZnO、IrO、薄Ni/Au等透明材料;不透明微电极所采用的金属材料,可以是厚Ni/Au、Ti/Au、Cr/Au等合金。
4.根据权利要求1所述的集光电极和微电极一体的生物神经芯片,其特征在于:所述的微电极和光电极部分采用透明介质层隔离,其介质层可以是二氧化硅、氮化硅等透明不导电层。
5.根据权利要求1所述的集光电极和微电极一体的生物神经芯片,其特征在于:所述的微电极的位置可以是与光电极部分发光透明导电层所在的同一位置,处于互相隔离的不同叠层;也可以是光电极部分发光位置的附近;微电极的排列方式,既可以是线列式的,也可以是矩形网点式的。
6.根据权利要求1所述的集光电极和微电极一体的生物神经芯片,其特征在于:所述的温度传感器的材料可以是电阻率随温度变化稳定的任何金属。
7.根据权利要求1所述的集光电极和微电极一体的生物神经芯片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1. 在生长好氮化镓发光层的外延叠层上利用等离子刻蚀方法,刻蚀出P型台;
S2. 接着整面沉积ITO透明导电薄膜,湿法刻蚀仅留下p型台上的ITO导电层,带有p型窗;
S3. 利用PECVD沉积掩膜介质层,再在介质层上刻蚀出p型与n型窗口;
S4. 在介质层上通过光刻、整面蒸镀金属、剥离或者腐蚀的方法分别得到p型电极、n型电极、微电极、金属线路和PAD电极部分以及温度传感器;
S5. 再次利用PECVD沉积掩膜介质层,在介质层上刻蚀出PAD窗口和微电极窗口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的