[发明专利]一种TFT阵列基板的制备方法及TFT阵列基板、显示面板

说明书

本发明实施例提供了一种TFT阵列基板的制备方法，包括在一硬质基板上沉积并形成栅极和栅极扫描线；继续依次沉积栅极绝缘层、有源层和第二金属层；在所述第二金属层上沉积并形成第一光阻层和第二光阻层，所述第一光阻层包括厚度递增的第一阶光阻层、第二阶光阻层和第三阶光阻层，所述第一阶光阻层设于所述第一光阻层的中部并形成一沟道；灰化处理以去除所述第一阶光阻层，并经刻蚀形成源极和漏极；灰化处理以去除所述第二阶光阻层，然后整体沉积钝化保护层；剥离所述第三阶光阻层和所述第二光阻层，并沉积形成像素电极和公共电极。该制备方法采用3mask制备工艺，可简化工艺流程，大幅提高设备产能和利用率。

技术领域

本发明涉及柔性显示器技术领域，特别是涉及一种TFT阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

目前，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，TFT-LCD)已成为主流显示器之一。TFT-LCD上的每个液晶像素点都是由集成在像素点后面的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)来驱动，从而可以做到高速度、高亮度、高对比度显示屏幕信息。TFT-LCD的制作大致可分为TFT阵列(Array)工序、液晶单元工序、液晶模块工序三类；其中，TFT阵列工序对液晶面板显示性能的存在重要影响，TFT阵列工序对面板制备成本的影响尤为突出。

在制备TFT阵列基板的TFT阵列工序中，如半导体集成电路般使用光罩(mask)的多次的光刻程序是不可欠缺的。TFT阵列基板的制备工艺经历了从7次光刻技术到目前的5或4道光罩技术的发展过程；并且，5或4道光罩技术仍是当今TFT阵列基板制备的主流工艺。其中，在原有5道光罩工序基础上，利用灰色调光刻技术，将有源层和漏极的光刻合并为一道光罩，形成日趋成熟的4道光罩光刻工艺。然而，随着显示面板市场对TFT阵列基板的需求量日益增长，对TFT阵列基板产能效率的要求也日趋严格。

因此，有必要开发一种工艺流程显著简化，设备产能和利用率大幅提高的TFT阵列基板的制备工艺。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种TFT阵列基板的制备方法，所述制备方法采用3mask制备工艺，可显著简化工艺流程，大幅提高设备产能和利用率。

第一方面，本发明实施例提供了一种TFT阵列基板的制备方法，包括：

提供一硬质基板，在所述硬质基板上沉积第一金属层，图案化处理形成栅极和栅极扫描线；

在所述栅极和栅极扫描线上依次沉积栅极绝缘层、有源层和第二金属层；

在所述第二金属层上涂布光阻材料，图案化处理形成第一光阻层和第二光阻层，所述第一光阻层包括第一阶光阻层、第二阶光阻层和第三阶光阻层，所述第二阶光阻层的厚度大于所述第一阶光阻层，所述第三阶光阻层的厚度大于所述第二阶光阻层，所述第一阶光阻层设于所述第一光阻层的中部并形成一沟道，所述第二光阻层的厚度大于所述第二阶光阻层；

对所述沟道外侧的未被所述第一光阻层和所述第二光阻层覆盖的所述第二金属层、所述有源层和所述栅极绝缘层进行刻蚀以使所述硬质基板暴露；

对所述第一光阻层和所述第二光阻层进行灰化处理，去除所述第一阶光阻层，并经刻蚀形成源极和漏极；

对所述第二阶光阻层、所述第三阶光阻层和所述第二光阻层进行灰化处理，去除所述第二阶光阻层，然后整体沉积钝化保护层；

剥离所述第三阶光阻层和所述第二光阻层，并沉积透明导电层，图案化处理后形成像素电极和公共电极。

可选地，所述有源层包括依次在所述栅极绝缘层上的第一非晶硅膜和第二非晶硅膜，所述第一非晶硅膜置于所述栅极绝缘层与所述第二非晶硅膜之间。

可选地，所述第一非晶硅膜的材质包括无定形硅；所述第二非晶硅膜的材质包括杂质离子掺杂的无定形硅。