[发明专利]一种梯度钯钇透氢复合薄膜材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201810336212.5 | 申请日： | 2018-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN108300970A | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张昌钦;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 山东建筑大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18;C23C14/16;C23C14/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 薄膜材料 氢复合 溅射功率 共溅射 靶位 多靶磁控溅射 参数控制 厚度可变 溅射材料 灵活控制 钠钙玻璃 高真空 膜材料 梯度层 钇靶材 靶材 沉积 高纯 基底 铜箔 薄膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种梯度钯钇透氢复合薄膜材料及其制备方法，包括：
一种钯元素和钇元素含量呈梯度变化的Pd-Y透氢复合薄膜材料，该材料采用高真空双靶磁控溅射方法制备而成。
2.根据权利要求1所述的梯度钯钇透氢复合薄膜材料，其特征在于：
钯元素在合金薄膜中的原子百分含量可以在50%~100%之间变化，余量为钇元素。
3.根据权利要求1所述的梯度钯钇透氢复合薄膜材料，其特征在于：
薄膜的厚度可在500 nm ~ 15 μm之间变化，薄膜的面积可在5 cm × 5 cm ~ 10 cm× 10 cm之间变化。
4.根据权利要求1所述的高真空双靶磁控溅射方法制备梯度钯钇透氢复合薄膜材料的方法，其特征在于：
在铜基底或钠钙玻璃基底上磁控溅射双靶共沉积Pd-Y薄膜，所用双靶为钇靶和钯靶，磁控溅射的同时在300 ℃条件下原位退火；
所述磁控溅射的条件为：钇靶所在平面中心距离沉积样品台中心距离为8~10 cm，钯靶所在平面中心距离沉积样品台中心距离为4~6 cm，在共溅射过程中保持不变；
所述磁控溅射的条件为：钇靶的溅射功率设置在25~50 W之间并在共溅射过程中保持不变；
所述磁控溅射的条件为：钯靶的初始溅射功率设置在50~100 W之间，根据Pd-Y薄膜中钯含量的梯度变化要求可在共溅射过程中调增或调减钯靶的溅射功率，溅射功率调节范围为25~175 W。
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