[发明专利]一种可同时去除集成电路重布线层和凸块的组合物及其制备和使用方法在审
| 申请号： | 201810336679.X | 申请日： | 2018-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN108598008A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 邱滟;徐鹏 | 申请（专利权）人： | 全讯射频科技(无锡)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人： | 顾吉云 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发烟硝酸 去离子水 去除 制备 组合物处理 组合物溶液 清洗干燥 失效分析 完全溶解 重布线层 无损伤 称取 放入 凸块 成功率 集成电路 配制 式样 计时 取出 配置 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种可同时去除集成电路重布线层和凸块的组合物，其各原料组分及用量分别为：
FeCl3：1份~4份；
发烟硝酸：1份~5份；
去离子水：1份~8份。
2.权利要求1所述组合物的制备方法，其特征在于：称取1份~4份FeCl3固体、1份~5份发烟硝酸和1份~8份去离子水，分别放置于3个容器中；将去离子水加入到装有FeCl3固体的容器中，充分搅拌至FeCl3完全溶解后，再将发烟硝酸缓慢加入到FeCl3溶液中，充分搅拌均匀，完成配液。
3.权利要求1或者2所述组合物的处理方法，其特征在于：根据去除时间=RDL厚度/去除速率，计算组合物的去除时间；将需要去除重布线层和凸块的产品放入配置好的组合物溶液中，计时至反应结束后将产品从溶液中取出，清洗干燥。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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