[发明专利]一种基于复合互连衬底的芯片封装结构及其方法有效
申请号: | 201810336841.8 | 申请日: | 2018-04-16 |
公开(公告)号: | CN108649041B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 陈琳;王天宇;何振宇;孙清清;张卫 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;陆尤 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 复合 互连 衬底 芯片 封装 结构 及其 方法 | ||
1.一种基于复合互连衬底的芯片封装结构,其特征在于,包括:
基板,其具有上下两个凹槽,顶部凹槽的长度小于底部凹槽的长度;芯片贴合在底部凹槽中;顶部凹槽中注入有塑模材料;
第一引线柱,若干根,分设于基板底部凹槽内侧;
第二引线柱,若干根,分设于芯片四周、与所述第一引线柱相应的位置,第一引线柱与所述第二引线柱一一对应,且两者贴合;
以及光学玻璃,封装在所述基板上。
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述底部凹槽的长度为5mm~7mm,宽度为1mm~5mm,高度为0.1mm~0.2mm;所述顶部凹槽的长度为2mm~4mm,宽度为2mm~4mm,高度为0.5~1.5mm。
3.根据权利要求1或2所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一引线柱、所述第二引线柱为10根以上。
4.根据权利要求3所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一引线柱、所述第二引线柱的长度为0.5mm~0.7mm,宽度为0.1mm~0.5mm,高度为0.1mm ~0.2mm。
5.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一引线柱、所述第二引线柱材料为铜、金或银。
6.一种如权利要求1-5之一所述基于复合互连衬底的芯片封装结构的封装方法,其特征在于,具体步骤为:
制备带有凹槽的基板;凹槽有两个,分设在基板的顶部和底部,顶部凹槽的长度小于底部凹槽的长度;
在基板底部凹槽内侧设置第一引线柱;
准备芯片,将芯片贴合在基板底部凹槽中,在芯片四周设置第二引线柱,第二引线柱与第一引线柱的位置一一对应,且两者贴合;
在基板四周装载基材形成闭合模具,并留有注入通道;
通过注入通道将塑模材料注入到模腔,然后去除模具;
封装光学玻璃,得到复合互连衬底的芯片封装结构。
7.根据权利要求6所述的封装方法,其特征在于,芯片通过粘合剂贴合在基板底部凹槽中,具体步骤为:
将所述基板 上下翻转,将银浆作为粘合剂滴入到所述底部凹槽中,在充满氮气的循环烘箱进行烘烤,使银浆固化。
8.根据权利要求6所述的封装方法,其特征在于,所述芯片为CMOS图像传感器芯片。
9.根据权利要求6所述的封装方法,其特征在于,所述塑模材料为环氧树脂模塑料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的