[发明专利]区熔炉热场线圈的循环水路结构在审

专利信息
申请号: 201810336862.X 申请日: 2018-04-13
公开(公告)号: CN108411358A 公开(公告)日: 2018-08-17
发明(设计)人: 王广明;王遵义;刘琨;万静;王印;吴磊 申请(专利权)人: 天津中环领先材料技术有限公司
主分类号: C30B13/16 分类号: C30B13/16;C30B29/06
代理公司: 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 代理人: 刘莹
地址: 300384 天津市滨海新区*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 热场 连接法兰 循环水路结构 区熔炉 水路 折回 变形量 内圆孔 凸起 圆孔 环绕
【说明书】:

发明提供一种区熔炉热场线圈的循环水路结构,水路自连接法兰一端进入热场后,以内圆孔为中心进行环绕,然后自连接法兰的另一端引出;以连接法兰中央相对于内圆孔的中心为0°线,热场内的水路分别在45°、90°、135°、180°、225°、270°、315°线的方向上形成凸起的弯折回路。本发明具有减少热场线圈变形量、稳定热场的作用。

技术领域

本发明属于单晶硅制造设备技术领域,具体涉及一种区熔炉热场线圈中改善的循环水路结构。

背景技术

区熔炉用热场线圈是区熔单晶生长的组成部分,其作用是在单晶生长过程中为其提供稳定的热场。热场线圈中的循环水路是维持热场热能稳定的主要构造,现有的热场线圈循环水路结构如图1所示,水路自连接法兰一端进入热场后,绕聚流环外周环绕将近一圈,然后自连接法兰的另一端引出。这种现有的结构水流量小、热交换效率低下,使热场线圈在反复的升温降温循环后出现明显的不可修复的形变,降低了热场线圈使用寿命,并使热场变的不稳定,影响单晶生长效果。

发明内容

本发明提供了一种区熔炉热场线圈的循环水路结构,具有减少热场线圈变形量、稳定热场的作用。

本发明的区熔炉热场线圈的循环水路结构,水路自连接法兰一端进入热场后,以内圆孔为中心进行环绕,然后自连接法兰的另一端引出;以连接法兰中央相对于内圆孔的中心为0°线,热场内的水路分别在45°、90°、135°、180°、225°、270°、315°线的方向上形成凸起的弯折回路。

其中,所述热场内凸起的弯折回路能够跨越聚流环。

其中,所述热场内,在45°、135°、225°、315°线的方向上的弯折回路具有相同的结构,视为第一回路结构,在90°、180°、270°线的方向上的弯折回路具有相同的结构,视为第二回路结构;所述第一回路结构包括与凸起方向平行的第一进出管路段、以及三面围合呈等腰梯形的第一围合管路段;所述第二回路结构包括与凸起方向平行的第二进出管路段、以及与凸起方向垂直的第二围合管路段。

进一步,所述第一进出管路段中,第一围合管路段的梯形角呈45°。

进一步,所述循环水路结构的设计尺寸优选如下:

a)线圈半径R1-第一回路结构的中心线半径R2≥15mm;

b)水路宽度L1:相邻的弯折回路间距L2≥1.2;

c)水路宽度L1:第二回路结构中心线顶部距线圈边缘L3≥1。

与现有技术相比,本发明具有以下优势:能够有效加宽热场线圈中循环水路的宽度,延长水路路程,加大热场线圈循环水流量,加强热场线圈在使用过程中的热能释放,有效降低热场线圈在使用过程中所受的高温,保证了在单晶生产过程中热场的稳定,提高单晶性能,并在多次的升温降温的循环中,热场线圈的变形量减少,从而延长了使用寿命。

附图说明

构成本发明的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:

图1是现有常规的热场线圈循环水路结构图。

图2是本发明的热场线圈循环水路结构图。

图3为主缝宽度变化验证结果。

图4为寿命验证结果。

具体实施方式

为了更好的理解本发明,下面结合具体附图对本发明进行进一步的描述。

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