[发明专利]一种晶圆键合方法

权利要求书

1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圆和第二晶圆；

对所述第一晶圆的背面进行预处理工艺以减少所述第一晶圆的背面的残留物，和/或，对所述第二晶圆的背面进行预处理工艺以减少所述第二晶圆的背面的残留物；

完成所述预处理工艺后，将所述第一晶圆的正面和所述第二晶圆的正面相键合；

其中，所述预处理工艺包括依次进行的第一次清洗工艺和第二次清洗工艺，所述第一次清洗用于去除制造所述第一晶圆和/或所述第二晶圆残留的薄膜层，所述第二次清洗工艺用于去除所述第一次清洗工艺中产生的附产物，所述第一次清洗工艺的酸液包括氢氟酸、硝酸、磷酸和硫酸中的至少一种，或者，所述酸液包括氢氟酸、硝酸、磷酸和硫酸中的至少一种与去离子水形成的混合溶液；所述第二次清洗工艺的溶液包括氢氟酸、硝酸、盐酸、双氧水、氨水和去离子水中的至少一种。

2.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，在进行所述第一次清洗工艺的步骤中还包括：通入保护气体对所述第一晶圆的正面或所述第二晶圆的正面进行保护。

3.如权利要求2所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述保护气体的流量为100sccm～500sccm。

4.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述第一次清洗工艺的时间为1s～480s，所述第一次清洗工艺的转速为100转/分钟～1800转/分钟。

5.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述第二次清洗工艺时间为1s～360s，所述第二次清洗工艺的转速为100转/分钟～1800转/分钟。

6.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，在进行所述第二次清洗工艺的步骤中还包括：通入保护气体对所述第一晶圆的正面或所述第二晶圆的正面进行保护。