[发明专利]LED晶片的键合方法

说明书

本发明公开一种LED晶片的键合方法，所述LED晶片的键合方法包括以下步骤：提供一衬底；于所述衬底表面生长LED晶片，并使所述LED晶片的表面形成第一键合结构；提供一背板；于所述背板表面布置结合层，并使所述结合层的表面形成可与所述第一键合结构相键合的第二键合结构；将所述LED晶片与所述结合层对位，并使所述第一键合结构和所述第二键合结构相键合。本发明的技术方案能够提高背板的利用率。

技术领域

本发明涉及LED技术领域，特别涉及一种LED晶片的键合方法。

背景技术

随着技术的发展与进步，MicroLED已经展现出了超越OLED的许多优势。例如，MicroLED的LED晶片更小、寿命更长，并且，MicroLED在模组厚度、功耗、亮度、屏幕响应时间、解析度、显示效果等方面都远超OLED。因此，MicroLED是一项极具竞争力的技术。可是，在MicroLED的制造过程中，却存在着需要将LED晶片精确定位至背板的难题。目前，为解决这样的难题，普遍的做法是在背板和衬底上设置对准标记，以利用对准标记实现精确定位。但是，采用这样的方式时，对准标记会占据背板上的宝贵空间，造成背板的利用率低下。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种LED晶片的键合方法，旨在提高背板的利用率。

为实现上述目的，本发明提出的LED晶片的键合方法，包括以下步骤：

提供一衬底；

于所述衬底表面生长LED晶片，并使所述LED晶片的表面形成第一键合结构；

提供一背板；

于所述背板表面布置结合层，并使所述结合层的表面形成可与所述第一键合结构相键合的第二键合结构；

将所述LED晶片与所述结合层对位，并使所述第一键合结构和所述第二键合结构相键合。

可选地，所述衬底为氧化锌衬底、氮化铝衬底、氧化铝衬底、或碳化硅衬底。

可选地，所述结合层为金属或金属氧化物。

可选地，所述结合层为金属铟或氧化铟锡。

可选地，所述“于所述衬底表面生长LED晶片，并使所述LED晶片的表面形成第一键合结构”的步骤，包括：

于所述衬底表面布置第一成型夹具，并使所述第一成型夹具与所述衬底之间形成晶片生长间隙；

于所述晶片生长间隙中生长LED晶片；

剥离所述第一成型夹具，以使所述LED晶片的表面形成第一键合结构；

其中，所述第一成型夹具面向所述衬底的表面形成有所述第二键合结构。

可选地，所述第一键合结构为凸起或凹陷。

可选地，所述“于所述背板表面布置结合层，并使所述结合层的表面形成可与所述第一键合结构相键合的第二键合结构”的步骤，包括：

于所述背板表面布置结合层；

利用第二成型夹具对所述结合层进行压印；

剥离所述第二成型夹具，以使所述结合层的表面形成可与所述第一键合结构相键合的第二键合结构；

其中，所述第二成型夹具面向所述结合层的表面形成有所述第一键合结构。

可选地，所述第二键合结构为凸起或凹陷。

可选地，所述“将所述LED晶片与所述结合层对位，并使所述第一键合结构和所述第二键合结构相键合”的步骤之后，还包括：

剥离所述衬底。