[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供一种抑制接合焊盘间的短路的技术。半导体装置具有：半导体基板；第一接合焊盘，设在所述半导体基板的上表面，且由含有铝的金属构成；及第二接合焊盘，设在所述半导体基板的所述上表面。所述第一接合焊盘的上表面以越接近所述第二接合焊盘则越位于上方的方式倾斜。

技术领域

本说明书公开的技术涉及半导体装置。

背景技术

已知具有半导体基板的半导体装置，该半导体基板的上表面设有由含有铝的金属构成的接合焊盘。在向接合焊盘上接合引线时，会由于在接合时向接合焊盘施加的应力而使接合焊盘发生变形。其结果是，构成接合焊盘的金属从与引线接合的接合部向其周围排出。该现象被称为铝飞溅物。当铝飞溅物达到其他的接合焊盘的附近时，接合焊盘间的绝缘距离缩短，可能会发生短路。

专利文献1公开了在表面具有凹部的接合焊盘。凹部被配置在供引线进行接合的区域的周围。当向接合焊盘上接合引线时，通过接合而产生的铝飞溅物会进入到凹部内。因此，能抑制铝飞溅物向接合焊盘的外侧扩展。因此，能抑制铝飞溅物与其他的接合焊盘之间的短路。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-109419号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在专利文献1的半导体装置中，在引线的接合位置偏离时存在铝飞溅物不会合适地进入到凹部内的情况，需要将引线准确地接合在接合焊盘。在本说明书中，通过与专利文献1不同的结构，提供一种抑制因铝飞溅引起的接合焊盘之间的短路的技术。

用于解决课题的技术方案

本说明书公开的半导体装置具有：半导体基板；第一接合焊盘，设在所述半导体基板的上表面，且由含有铝的金属构成；以及第二接合焊盘，设在所述半导体基板的所述上表面，所述第一接合焊盘的上表面以越接近所述第二接合焊盘则越位于上方的方式倾斜。

铝飞溅是相对于接合焊盘的上表面而朝斜上方产生的。在上述的半导体装置中，第一接合焊盘的上表面以越接近第二接合焊盘则越位于上方的方式倾斜。因此，在第一接合焊盘的第二接合焊盘侧产生的铝飞溅，与第一接合焊盘的上表面未倾斜的情况相比，以朝更上方的角度产生。因此，铝飞溅物从第一接合焊盘朝着第二接合焊盘沿横向突出的距离变短，铝飞溅物不易与第二接合焊盘接触。因此，即使在接合引线时产生了铝飞溅的情况下，也能够良好地抑制第一接合焊盘与第二接合焊盘发生短路的情况。而且，在该结构中，无论相对于第一接合焊盘的接合位置如何，都能够抑制第一接合焊盘与第二接合焊盘的短路。因此，引线相对于第一接合焊盘的接合位置不要求那么高的精度。根据该结构，能够更容易地抑制第一接合焊盘与第二接合焊盘的短路。

附图说明

图1是半导体装置10的俯视图。

图2是表示图1的II-II线处的引线接合前的状态的剖视图。

图3是表示图1的II-II线处的引线接合后的状态的剖视图。

图4是表示比较例的半导体装置的引线接合后的状态的剖视图(对应于图3)。

具体实施方式