[发明专利]半导体发光器件在审
| 申请号： | 201810342699.8 | 申请日： | 2013-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN108598229A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 全水根;朴恩铉;金勈德 | 申请（专利权）人： | 世迈克琉明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/32;H01L33/38;H01L33/42;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体层 不导电 反射膜 半导体发光器件 空穴 第一电极 电连接件 双层结构 衬底 源层 分布式布拉格反射器 化学气相沉积 物理气相沉积 半导体层电 导电性 第二电极 电介质膜 顺序生长 生长 反射光 穿过 | ||
1.一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：
在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，其中所述多个半导体层包括具有第一导电性的第一半导体层、具有不同于所述第一导电性的第二导电性的第二半导体层、以及介于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的经由电子-空穴复合产生光的有源层；
第一电极，所述第一电极向所述第一半导体层提供电子和空穴中的一个；
第二电极，所述第二电极向所述第二半导体层提供电子和空穴中的另一个；以及不导电反射膜，所述不导电反射膜形成在所述第二半导体层上，用于从所述有源层向在所述生长衬底侧的所述第一半导体层反射光，且所述不导电反射膜具有双层结构，该双层结构包括通过化学气相沉积法形成的分布式布拉格反射器和通过物理气相沉积形成的电介质膜，
所述第一电极位于所述不导电反射膜上，且通过电连接件与所述第一半导体层电连接，所述电连接件穿过所述不导电反射膜。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，
该半导体发光器件包括分支电极，所述分支电极位于所述不导电反射膜与所述第二半导体层之间，且与所述第二电极电连接。
3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，
该半导体发光器件包括分支电极，所述分支电极与所述电连接件电连通，且位于所述第一半导体层上。
4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，该半导体发光器件包括包覆膜，所述包覆膜位于所述第一电极和所述第二电极与所述不导电反射膜之间，且折射率比所述分布式布拉格反射器的有效折射率低。
5.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，该半导体发光器件包括包覆膜，所述包覆膜位于所述第一电极和所述第二电极与所述不导电反射膜之间，且折射率比所述分布式布拉格反射器的有效折射率低。
6.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中，该半导体发光器件包括包覆膜，所述包覆膜位于所述第一电极和所述第二电极与所述不导电反射膜之间，且折射率比所述分布式布拉格反射器的有效折射率低。
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