[发明专利]一种基于一维纳米材料的探测方法

权利要求书

1.一种基于一维纳米材料的探测方法，用于探测微纳结构中等离基元的局域电场强度，其中，所述探测方法包括：

制备微纳结构和一维纳米材料，并使所述微纳结构和所述一维纳米材料进行复合；

采集所述微纳结构中一维纳米材料的不同偏振方向的表面增强拉曼光谱，以得到所述一维纳米材料特征峰的表面增强拉曼光谱强度的偏振依赖关系；

根据所述偏振依赖关系且根据所述一维纳米材料与所述微纳结构的位置关系得到局域拉曼增强因子，以得到局域等离基元电场强度；

其中，所述偏振依赖关系通过以下公式获得：

其中，I(θ)为所述偏振依赖关系，A_i和分别为激发光照射范围内第i个偏振各向异性的拉曼热点的拉曼贡献强度与偏振角度，B_j为激发光照射范围内第j个偏振各向同性的拉曼热点的拉曼贡献强度，C和ф分别为激发光照射范围内未被增强的拉曼强度及轴向角度。

2.根据权利要求1所述的探测方法，其中，制备微纳结构和一维纳米材料，并使所述微纳结构和所述一维纳米材料进行复合的操作，包括：

在衬底上制备所述一维纳米材料，以对所述一维纳米材料进行形貌表征和拉曼光谱表征；

在所述一维纳米材料上制备所述微纳结构，以使所述微纳结构与所述一维纳米材料按一定位置关系放置。

3.根据权利要求1所述的探测方法，其中，制备微纳结构和一维纳米材料，并使所述微纳结构和所述一维纳米材料进行复合的操作，包括：

制备所述微纳结构；

制备所述一维纳米材料；

将所述一维纳米材料转移至所述微纳结构上按一定位置关系放置，以使所述微纳结构与所述一维纳米材料进行复合。

4.根据权利要求1所述的探测方法，其中，

所述一维纳米材料为能够利用拉曼光谱进行表征的非金属一维纳米材料。

5.根据权利要求1-4任一项所述的探测方法，其中，

所述一维纳米材料为性质均一且准直的一维纳米材料。

6.根据权利要求1-4任一项所述的探测方法，其中，

所述一维纳米材料与所述微纳结构复合部分的拉曼散射偏振度通过以下公式获得：

η＝(I₁-I₂)/(I₁+I₂)

其中，η为所述拉曼散射偏振度，I₁和I₂分别为平行于所述一维纳米材料轴向的本征拉曼特征峰强度和垂直于所述一维纳米材料轴向的本征拉曼特征峰强度。

7.根据权利要求6所述的探测方法，其中，

所述一维纳米材料与所述微纳结构复合部分的拉曼散射偏振度η为范围在0.9-1之间的任一值。

8.根据权利要求1所述的探测方法，其中，

所述一维纳米材料的径向尺寸小于20nm。

9.根据权利要求1所述的探测方法，其中，

所述微纳结构配置成能与光相互作用形成表面等离基元共振；和/或

所述微纳结构的材料包括金属材料。