[发明专利]半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：

在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，其中所述多个半导体层包括具有第一导电性的第一半导体层、具有不同于所述第一导电性的第二导电性的第二半导体层、以及介于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的经由电子-空穴复合产生光的有源层；

第一电极，所述第一电极向所述第一半导体层提供电子和空穴中的一个；

第二电极，所述第二电极向所述第二半导体层提供电子和空穴中的另一个；以及

不导电反射膜，所述不导电反射膜形成在所述第二半导体层上，用于从所述有源层向在所述生长衬底侧的所述第一半导体层反射光，且所述不导电反射膜具有分布式布拉格反射器和作为所述不导电反射膜的边缘处的倾斜面的角反射器，所述倾斜面对以倾斜角入射在所述不导电反射膜上而向所述分布式布拉格反射器的横向表面传播的光进行反射，

所述第一电极和所述第二电极位于所述不导电反射膜上。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，该半导体发光器件包括分支电极，所述分支电极在所述多个半导体层与所述不导电反射膜之间被所述不导电反射膜覆盖，且与所述第一电极和所述第二电极中的一个电连接。

3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述分支电极与所述第二电极连接，所述分支电极在所述第一电极的下面延伸。

4.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述分支电极与所述第一电极连接，所述分支电极在所述第二电极的下面延伸。

5.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，该半导体发光器件具有通过去除所述第二半导体层和所述有源层的一部分而露出了所述第一半导体层的接触区，

所述分支电极形成在所述接触区内的所述第一半导体层上。

6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，该半导体发光器件包括包覆膜，所述包覆膜位于所述第一电极和所述第二电极与所述分布式布拉格反射器之间。

7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，该半导体发光器件具有电介质膜，所述电介质膜位于所述多个半导体层与所述分布式布拉格反射器之间，且折射率比所述第二半导体层的折射率低。