[发明专利]一种SOI基底及SOI基底的形成方法在审
| 申请号： | 201810343690.9 | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN108682661A | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 陈达;罗海龙;李伟;叶菲;张俊龙 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人： | 张清芳 |
| 地址： | 315803 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 埋氧层 基底 导热材料 底层硅 顶层硅 顶部开口 高热导率 绝缘设置 散热性能 热传导 自加热 填充 引入 | ||
1.一种SOI基底，包括底层硅、位于所述底层硅上的埋氧层、位于所述埋氧层上的顶层硅，其特征在于，所述埋氧层包括至少一个顶部开口的槽，所述槽底部的埋氧层厚度大于等于零，小于设定值；
所述槽中填充有导热材料，且所述导热材料与所述顶层硅绝缘设置。
2.根据权利要求1所述的SOI基底，其特征在于，所述导热材料为绝缘导热材料；优选地，所述绝缘导热材料为AlN。
3.根据权利要求1所述的SOI基底，其特征在于，所述导热材料为非绝缘导热材料，在所述埋氧层和所述顶层硅之间还具有绝缘导热层。
4.根据权利要求3所述的SOI基底，其特征在于，所述非绝缘导热材料为石墨烯粉体，或石墨薄膜。
5.根据权利要求3所述的SOI基底，其特征在于，所述绝缘导热层为AlN层，厚度为50-200nm。
6.根据权利要求1所述的SOI基底，其特征在于，所述槽为贯穿所述埋氧层的通孔，所述埋氧层中具有多个呈阵列排布的所述通孔。
7.根据权利要求1所述的SOI基底，其特征在于，所述槽为贯穿所述埋氧层的长条形槽，所述埋氧层中具有多条平行设置的所述长条形槽。
8.一种SOI基底的形成方法，其特征在于，包括：
提供第一硅衬底，在所述第一硅衬底上表面形成第一介质层；
在所述第一介质层中形成至少一个顶部开口的槽，所述槽底部的第一介质层厚度大于等于零，小于设定值；
在所述槽中填充导热材料；
提供第二硅衬底，在所述第二硅衬底中形成有氢注入层；
将所述第一硅衬底和所述第二硅衬底键合，之后剥离所述氢注入层外侧的第二硅衬底部分，与所述第一硅衬底结合的第二硅衬底部分作为顶层硅，所述第一硅衬底作为底层硅；
其中，所述导热材料与所述顶层硅绝缘设置。
9.根据权利要求8所述的SOI基底的形成方法，其特征在于，所述导热材料为绝缘导热材料；优选地，所述绝缘导热材料为AlN。
10.根据权利要求8所述的SOI基底的形成方法，其特征在于，所述导热材料为非绝缘导热材料，在所述第一介质层上形成绝缘导热层。
11.根据权利要求10所述的SOI基底的形成方法，其特征在于，所述绝缘导热层为AlN层，厚度为50-200nm。
12.根据权利要求10所述的SOI基底的形成方法，其特征在于，所述非绝缘导热材料为石墨烯粉体，或石墨薄膜。
13.根据权利要求8所述的SOI基底的形成方法，其特征在于，所述槽为贯穿所述第一介质层的通孔，所述第一介质层中具有多个呈阵列排布的所述通孔。
14.根据权利要求8所述的SOI基底的形成方法，其特征在于，所述槽为贯穿所述第一介质层的长条形槽，所述第一介质层中具有多条平行设置的所述长条形槽。
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