[发明专利]衬管组件、等离子体处理装置和等离子体处理基板的方法

说明书

本申请涉及衬管组件、等离子体处理装置和等离子体处理基板的方法。本发明揭示一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包含腔室盖、腔室主体及支撑组件。该腔室主体界定处理容积，该处理容积用于含有等离子体，该腔室主体用于支撑该腔室盖。该腔室主体由腔室侧壁、底壁及衬管组件组成。该腔室侧壁及该底壁界定处理容积，该处理容积用于含有等离子体。该衬管组件设置在该处理容积内部，该衬管组件包含两个或两个以上狭槽，该狭槽在衬管组件上形成，该狭槽用于提供轴向对称的射频电流路径。该支撑组件支撑基板，以在该腔室主体内部进行处理。本发明使用具有若干对称狭槽的衬管组件，可防止该衬管组件的电磁场产生方位角不对称现象。

本申请是申请号为201180021201.4、申请日为2011年7月6日、名称为“用于调整电偏斜的等离子体处理装置与衬管组件”的中国专利申请(PCT申请号为PCT/US2011/043083)的分案申请。

技术领域

本发明大体而言涉及一种用于制造电子基板的等离子体处理装置，在该装置中通过施加于电极之间的射频电力来激发等离子体。更具体地，本发明涉及一种设置于该等离子体处理装置内部的衬管组件，该衬管组件用于平衡从该电极发射的射频电流流动。

背景技术

通常通过一系列处理步骤来制造诸如平板显示器及集成电路的电子器件，在该步骤中，在基板上沉积层且该沉积材料经蚀刻成为所要的图案。该处理步骤通常包括物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)、化学气相沉积(chemical vapor deposition；CVD)、等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced CVD；PECVD)及等离子体处理。具体而言，该等离子体处理需要将处理气体混合物提供给真空腔室，该真空腔室称为腔室主体；随后施加电气或电磁电力(射频电力)以激发该处理气体成为等离子体态。换言之，通过从电极发射的射频电流将该处理气体激发成为等离子体。该等离子体将气体混合物分解成离子物种，该离子物种执行所要沉积或蚀刻处理。

通常，该基板可经由转移机构(例如机械叶片)从转移室输送至腔室主体，且该基板被置放于各腔室主体的支撑组件(例如，基座或底座)上以进行处理。此外，该腔室主体也可包含腔室衬管以保护该腔室主体的内壁。请参阅图1A。图1A图示传统腔室衬管的透视图。如图1A所示，为接收从转移室输送的基板，设置于腔室主体内部的腔室衬管90通常具有相应狭槽902，相应狭槽902用于接收基板，该基板与该腔室主体的狭缝阀隧道对准。

在基板处理期间，当前从电极发射的射频返回至位于腔室衬管的表面上的电源。因该返回射频电流不会横跨狭槽902界定的间隙进行传送，故该返回射频电流“围绕”狭槽902而传送。此举导致在狭槽902的侧向边缘处产生射频电流集中的区域，且在该狭槽的顶部及底部产生较低射频电流的区域，从而导致在射频电流流动中产生不对称的方位角扰动，如图1B所示。

图1B图示从线A-A至线B-B的传统的腔室衬管90的示意图，该示意图用于指示根据图1A的不对称的射频电流流动。如图1B所示，通过狭槽902来扰动射频电流流动(通过虚线I₉₀所示)，即狭槽902产生高度集中的区域I₉₂，该区域可导致在电磁场中产生方位角不对称现象，且最终产生等离子体，该等离子体使相对于狭槽902的蚀刻速率变得不均匀。

因传统的腔室衬管无法提供平衡的射频电流流动且导致等离子体处理存在缺陷，故在等离子体处理中几乎不能防止电偏斜。重要的是，腔室内部的射频电流分配是对称的，以使得该等离子体的电磁场提供均匀的方位角蚀刻或沉积速率。因此，存在平衡沿着腔室衬管的射频电流流动的需求，此举防止发生上述问题。

发明内容

本发明的实施例提供一种衬管组件，该衬管组件经配置以平衡在该衬管组件上流动的射频电流。根据本发明的一个实施例，提供一种衬管，该衬管包含两个或两个以上狭槽以提供轴对称的射频电流路径，其中一个狭槽为基板入口。