[发明专利]一种晶元切割扩张保护膜及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201810344064.1 申请日: 2018-04-17
公开(公告)号: CN108587501A 公开(公告)日: 2018-09-28
发明(设计)人: 洪立志 申请(专利权)人: 东莞市航达电子有限公司
主分类号: C09J7/24 分类号: C09J7/24;C09J7/40;C09J7/30;C09J4/02
代理公司: 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 代理人: 罗晓聪
地址: 523000 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 基材层 保护膜 粘合层 离型层 晶粒 种晶 切割 制作 石蜡 反面涂布 涂布方式 亚克力胶 正反两面 正面涂布 机械手 离型剂 龟裂 微凹 转印 延伸
【权利要求书】:

1.一种晶元切割扩张保护膜,该保护膜包括:基材层(1)以及分别涂布于基材层(1)正反两面的离型层(2)和粘合层(3),其特征在于:

所述的基材层(1)采用PVC薄膜;

所述的离型层(2)采用石蜡型离型剂;

所述的粘合层(3)采用亚克力胶。

2.根据权利要求1所述的一种晶元切割扩张保护膜,其特征在于:所述的粘合层(3)的亚克力胶包含丙烯酸酯与固化剂,二者的重量比为:100:0.4-0.8。

3.根据权利要求2所述的一种晶元切割扩张保护膜,其特征在于:所述的固化剂采用异氰酸酯类固化剂。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的一种晶元切割扩张保护膜,其特征在于:所述的基材层(1)的厚度为:60-80微米;所述的离型层(2)的厚度为:0.1-0.4微米;所述的粘合层(3)的厚度为2-3微米。

5.一种晶元切割扩张保护膜的制作方法,该保护膜包括:基材层(1)以及分别涂布于基材层(1)正反两面的离型层(2)和粘合层(3),其特征在于:该保护膜的制作方法包括以下步骤:

步骤一,采用PVC薄膜作为基材层(1);

步骤二,采用微凹涂布方式在基材层(1)的正面涂布石蜡型离型剂,即在基材层(1)的正面形成离型层(2);

步骤三,采用转印涂布的方式在基材层(1)的反面涂布亚克力胶,即在基材层(1)的反面形成粘合层(3)。

6.根据权利要求5所述的一种晶元切割扩张保护膜的制作方法,其特征在于:所述的步骤二中,涂布离型层(2)的过程如下:

首先,将石蜡与溶剂按照重量比为25-35:100的比例调配形成离型溶液;

然后,将表面成型有阵列分布离型液凹槽(411)的离型液微凹转辊(41)部分浸入离型溶液中,离型液微凹转辊(41)转动后,在其表面及离型液凹槽(411)中附着有离型溶液,通过离型液刮板(42)将离型液微凹转辊(41)表面的离型溶液刮去,仅在离型液凹槽(411)中余留离型溶液;

接着,离型液微凹转辊(41)与一离型液压辊(43)配合,基材层(1)由离型液微凹转辊(41)与离型液压辊(43)之间通过,基材层(1)的正面贴合离型液微凹转辊(41),随着离型液微凹转辊(41)与离型液压辊(43)的转动,离型液凹槽(411)中余留离型溶液会附着在基材层(1)的表面,附着在基材层(1)正面的离型溶液沿基材层(1)表面流平;

最后,正面附着有离型溶液的基材层(1)经过烘箱,将离型溶液中的溶剂挥发,然后经过冷却后,最终在基材层(1)的正面形成有离型层(2)。

7.根据权利要求5所述的一种晶元切割扩张保护膜的制作方法,其特征在于:所述的步骤三中,涂布粘合层(3)的过程如下:

首先,配置亚克力胶,将丙烯酸酯与固化剂按照重量比为:100:0.4-0.8的比例调配形成亚克力胶;

接着,采用微凹涂布的方式在将亚克力胶涂布在一无硅离型膜(5)的离型面上;

最后,通过一组转印压辊(71、72)将无硅离型膜(5)上的附着的亚克力胶转印至基材层(1)的反面,从而形成所述的粘合层(3)。

8.根据权利要求7所述的一种晶元切割扩张保护膜的制作方法,其特征在于:所述的在将亚克力胶涂布在一无硅离型膜(5)的离型面上的过程如下:

首先,将一表面成型有阵列分布亚克力胶凹槽(611)的亚克力胶微凹转辊(61)部分浸入亚克力胶中,亚克力胶微凹转辊(61)转动后,在其表面及亚克力胶凹槽(611)中附着有亚克力胶,通过亚克力胶刮板(62)将亚克力胶微凹转辊(61)表面的亚克力胶刮去,仅在亚克力胶凹槽(611)中余留亚克力胶;

接着,亚克力胶凹转辊(61)与一亚克力胶压辊(63)配合,将一无硅离型膜(5)由亚克力胶微凹转辊(61)与亚克力胶压辊(63)之间通过,无硅离型膜(5)的离型面贴合亚克力胶微凹转辊(61),随着亚克力胶微凹转辊(61)与亚克力胶压辊(63)的转动,亚克力胶凹槽(611)中余留亚克力胶会附着在无硅离型膜(5)的离型面,附着在无硅离型膜(5)离型面上的亚克力胶沿离型面表面流平。

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