[发明专利]具有低暗电流的针扎光电二极管

权利要求书

1.一种制造针扎光电二极管的方法，包括：

在第二导电类型的衬底上形成第一导电类型的转换区域，所述转换区域被配置成将光子转换成电荷；

在所述转换区域上形成所述第二导电类型的浅半导体区域；

用掺杂有所述第二导电类型的掺杂剂的重掺杂绝缘体层涂覆所述浅半导体区域，所述浅半导体区域位于所述转换区域与所述重掺杂绝缘体层之间；以及

提供从所述重掺杂绝缘体层到所述浅半导体区域的掺杂剂扩散，其中：

在用所述重掺杂绝缘体层涂覆所述浅半导体区域之前，所述浅半导体区域被形成在所述转换区域上；以及

提供所述掺杂剂扩散包括：在所述浅半导体区域的上部部分中形成所述第二导电类型的扩散层，所述扩散层的掺杂水平高于所述浅半导体区域的掺杂水平。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述转换区域是N型的并且所述重掺杂绝缘体层是掺杂硼的氧化硅层。

3.根据权利要求1所述的方法，提供所述掺杂剂扩散包括：使掺杂剂从所述重掺杂绝缘体层扩散到所述浅半导体区域中至小于50nm的渗透深度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述浅半导体区域包括：在用所述重掺杂绝缘体层涂覆所述浅半导体区域之前，利用具有在从10¹⁷at./cm³至10¹⁸at./cm³的范围内的最大掺杂水平的所述浅半导体区域涂覆所述转换区域。

5.根据权利要求1所述的方法，其中提供所述掺杂剂扩散包括：对所述重掺杂绝缘体层进行退火，并且形成所述第二导电类型的重掺杂扩散层，所述重掺杂扩散层的掺杂水平高于所述浅半导体区域的掺杂水平。

6.根据权利要求2所述的方法，其中所述掺杂硼的氧化硅层掺杂有从5x10²¹at./cm³至2x10²²at./cm³的硼浓度。

7.根据权利要求3所述的方法，其中所述渗透深度小于10nm。