[发明专利]一种基于TDLAS技术的CO分析仪

权利要求书

1.一种基于TDLAS技术的CO分析仪，其特征在于，包括微处理芯片、信号发生电路、激光驱动模块、激光发生器、激光分束器、测试气室、第一光电检测头、第二光电检测头、第一AD模块、第二AD模块、2个锁相放大器，其中，

所述的2个锁相放大器定义为第一锁相放大器和第二锁相放大器；

所述的微处理芯片的第一输出端与信号发生电路的输入端电连接；

所述的信号发生电路的第一输出端与激光驱动模块的输入端电连接；

所述的信号发生电路的第二输出端与激光驱动模块的输入端电连接；

所述的激光驱动模块的输出端与激光发生器的输入端电连接；

所述的激光发生器用于产生气体光谱；

所述的激光发生器的输出端与激光分束器的光输入端电连接；

所述的激光分束器的第一光输出端设置在测试气室的光输入端上；

所述的激光分束器的第二光输出端与第二光电检测头的光输入端光连接；

所述的第一光电检测头的光输入端设置在测试气室的光输出端上；

所述的第一光电检测头的输出端与第一AD模块的输入端电连接；

所述的第二光电检测头的输出端与第二AD模块的输入端电连接；

所述的第一AD模块的输出端与第一锁相放大器的第一输入端电连接；

所述的第二AD模块的输出端与第二锁相放大器的第一输入端电连接；

所述的第一锁相放大器的输出端与微处理芯片的第一输入端电连接；

所述的第二锁相放大器的输出端与微处理芯片的第二输入端电连接；

所述的信号发生电路的第二输出端与第一锁相放大器的参考信号端电连接；

所述的信号发生电路的第二输出端与第二锁相放大器的参考信号端电连接。

2.根据权利要求1所述的CO分析仪，特征在于，所述的激光发生器是GM82009L模块。

3.根据权利要求2所述的CO分析仪，特征在于，所述的信号发生电路包括信号发生芯片、滤波子电路、信号叠加子电路，其中，

所述的信号发生芯片的输入端作为信号发生电路的输入端，信号发生芯片的第一输出端与信号叠加子电路的第一输入端电连接；

所述的信号发生芯片的第二输出端与滤波子电路的输入端电连接；

所述的滤波子电路的输出端与信号叠加子电路的第二输入端电连接；

所述的信号叠加子电路的输出端作为信号发生电路的输出端。

4.根据权利要求3所述的CO分析仪，特征在于，所述的信号叠加子电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第一电容、第二电容、第一运算放大器、第二运算放大器和N沟道增强型MOS管，其中，

所述的第一电阻的一端作为信号叠加子电路的第一输入端，第一电阻的一端与第一电容的一端电连接；

所述的第一电容的另一端接地；

所述的第二电阻的一端作为信号叠加子电路的第二输入端，第二电阻的一端与第二电容的一端电连接；

所述的第二电容的另一端接地；

所述的第一电阻的另一端与第二电阻的另一端电连接；

所述的第二电阻的另一端与第一运算放大器的同相输入端电连接；

所述的第一电容的另一端与第三电阻的一端电连接；

所述的第三电阻的另一端与第一运算放大器的同相输入端电连接；

所述的第二电容的另一端与第四电阻的一端电连接；

所述的第四电阻的另一端与第一运算放大器的反相输入端电连接；

所述的第四电阻的另一端与第五电阻的一端电连接；

所述的第五电阻的另一端与第一运算放大器的输出端电连接；

所述的第一运算放大器的输出端与第二运算放大器的同相输入端电连接；

所述的第二运算放大器的反相输入端与N沟道增强型MOS管的源极电连接；

所述的第二运算放大器的输出端与N沟道增强型MOS管的栅极电连接；

所述的N沟道增强型MOS管的源极与第六电阻的一端电连接；

所述的第六电阻的另一端接地；

所述的N沟道增强型MOS管的漏极接电源，所述的N沟道增强型MOS管的漏极作为信号叠加子电路的输出端。