[发明专利]一种面向双极型比较器的静电保护电路有效
申请号: | 201810344999.X | 申请日: | 2018-04-17 |
公开(公告)号: | CN108598077B | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 肖筱;魏海龙 | 申请(专利权)人: | 西安微电子技术研究所 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 齐书田 |
地址: | 710065 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 面向 双极型 比较 静电 保护 电路 | ||
1.一种面向双极型比较器的静电保护电路,其特征在于,包括NPN型双极晶体管Q1、NPN型双极晶体管Q2、负载电阻R1、负载电阻R2、正电源AVDD、尾电流源、二极管D1、二极管D2、NPN型双极晶体管Q3、NPN型双极晶体管Q4、NPN型双极晶体管Q5和NPN型双极晶体管Q6;
其中,NPN型双极晶体管Q1和NPN型双极晶体管Q2的B极分别连接至比较器正向输入端INP和比较器反向输入端INN,NPN型双极晶体管Q1的C极与负载电阻R1的一端相连,NPN型双极晶体管Q2的C极与负载电阻R2的一端相连,负载电阻R1的另一端和负载电阻R2的另一端均与正电源AVDD连接,NPN型双极晶体管Q1和NPN型双极晶体管Q2的E极短接并与尾电流源的其中一端相连,尾电流源的另一端接地AGND;
NPN型双极晶体管Q3的B极与NPN型双极晶体管Q4的B极相连,NPN型双极晶体管Q3的C极与正电源AVDD相连,NPN型双极晶体管Q3的E极分别与NPN型双极晶体管Q4的C极、比较器正向输入端INP以及NPN型双极晶体管Q5的E极相连;NPN型双极晶体管Q4的E极分别与比较器反向输入端INN、NPN型双极晶体管Q6的E极和NPN型双极晶体管Q5的C极相连;NPN型双极晶体管Q6的C极和正电源AVDD相连,NPN型双极晶体管Q6的B极与的NPN型双极晶体管Q5B极相连,二极管D1的正向端与比较器正向输入端INP相连,负向端与正电源AVDD连接;二极管D2的正向端与比较器反向输入端INN相连,负向端与正电源AVDD连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的