[发明专利]临时键合/解键合的材料及其制备方法和应用有效
申请号: | 201810345076.6 | 申请日: | 2018-04-17 |
公开(公告)号: | CN108511384B | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 崔成强;张昱;陈涛;陈新 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/603 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张春水;唐京桥 |
地址: | 510060 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 临时 解键合 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.临时键合/解键合的材料,其特征在于,包括经粗糙化处理的载片和石墨类材料,所述石墨类材料附着在所述经粗糙化处理的载片的粗糙面上;所述粗糙化处理具体包括通过化学方法或等离子刻蚀方法在载片的表面形成凸起结构;所述石墨类材料附着在所述经粗糙化处理的载片的表面上具体包括通过化学气相沉积法或磁控溅射法将所述石墨类材料附着在所述经粗糙化处理的载片的粗糙面;所述石墨类材料包括石墨或石墨烯;所述凸起结构的高度为10-20微米。
2.根据权利要求1所述的临时键合/解键合的材料,其特征在于,所述载片为玻璃、铜箔、蓝宝石或单晶硅中的一种。
3.临时键合/解键合的材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:将载片的表面进行粗糙化处理,得到经粗糙化处理的载片;所述粗糙化处理具体包括通过化学方法或等离子刻蚀方法在载片的表面形成凸起结构;所述凸起结构的高度为10-20微米;
步骤2:将石墨类材料附着在所述经粗糙化处理的载片的粗糙面上,得到临时键合/解键合的材料;所述石墨类材料附着在所述经粗糙化处理的载片的表面上具体包括通过化学气相沉积法或磁控溅射法将所述石墨类材料附着在所述经粗糙化处理的载片的粗糙面;所述石墨类材料包括石墨或石墨烯。
4.权利要求1或2所述的临时键合/解键合的材料或权利要求3所述的临时键合/解键合的材料的制备方法制得的临时键合/解键合的材料在晶圆加工中的应用。
5.根据权利要求4所述的应用,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一:将晶圆的表面电镀金属层;
步骤二:将晶圆的金属层一侧与如权利要求1或2所述临时键合/解键合的材料或权利要求3所述的临时键合/解键合的材料的制备方法制得的临时键合/解键合的材料的石墨类材料一侧进行临时键合,得到临时晶圆键合对;所述石墨类材料包括石墨或石墨烯;
步骤三:对所述临时晶圆键合对的晶圆的非金属层进行加工;
步骤四:通过非平行于所述临时晶圆键合对的临时键合/解键合的材料的作用力对所述临时晶圆键合对的临时键合/解键合的材料和晶圆进行解键合。
6.根据权利要求5所述的应用,其特征在于,所述步骤三的加工具体包括对晶圆进行研磨减薄加工、镀通孔加工或球栅阵列封装加工中的一种或多种。
7.根据权利要求5所述的应用,其特征在于,所述非平行于所述临时晶圆键合对的临时键合/解键合的材料的作用力为垂直于所述临时晶圆键合对的临时键合/解键合的材料的作用力。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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