[发明专利]一种三维碳纳米管薄膜电极结构在审
| 申请号： | 201810345248.X | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN108806833A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 周阳辛;丁莞尔;王超;秦刚华;骆周扬;李卓斌 | 申请（专利权）人： | 浙江浙能技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/00 | 分类号： | H01B5/00;H01B5/14;H01B1/04 |
| 代理公司： | 浙江翔隆专利事务所(普通合伙) 33206 | 代理人： | 戴晓翔 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜电极 导电薄膜 碳纳米管薄膜 变形薄膜 电极结构 基板 电子器件性能 三维 贴合 创造条件 技术缺陷 相邻物质 形状变化 可改变 受限 紧贴 变形 | ||
【权利要求书】：
1.一种三维碳纳米管薄膜电极结构，包括基板（1）和设于其上的导电薄膜（3），其特征是所述基板（1）和导电薄膜（3）之间设有可改变形状的变形薄膜层（2），所述变形薄膜层（2）两面分别紧贴基板（1）和导电薄膜（3），所述导电薄膜（3）为碳纳米管薄膜，并且可随一面贴合的变形薄膜层（2）变形而改变形状。
2.根据权利要求1所述的三维碳纳米管薄膜电极结构，其特征是所述碳纳米管薄膜为单壁碳纳米管、多壁碳纳米管、碳纳米管束三者之一单独或者复合制备形成的薄膜。
3.根据权利要求1所述的三维碳纳米管薄膜电极结构，其特征是所述变形薄膜层（2）的形状变化为其所在平面上一个维度或两个维度的变形。
4.根据权利要求1至3之一所述的三维碳纳米管薄膜电极结构，其特征是所述变形薄膜层（2）为导电材料制成。
5.根据权利要求1至3之一所述的三维碳纳米管薄膜电极结构，其特征是所述基板（1）为导电材料制成。
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