[发明专利]镁镱离子共掺YAG超快闪烁晶体及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810347694.4 申请日: 2018-04-18
公开(公告)号: CN108360069A 公开(公告)日: 2018-08-03
发明(设计)人: 陈建玉 申请(专利权)人: 苏州四海常晶光电材料有限公司
主分类号: C30B29/22 分类号: C30B29/22;C30B27/02;C30B27/00
代理公司: 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 代理人: 黄杭飞
地址: 215500 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 闪烁晶体 掺杂量 镱离子 共掺 制备 离子 炉膛 惰性气体保护 中频感应加热 保温材料 提拉法生长 辐照损伤 固相反应 晶体生长 晶体转速 烧结 宝石片 发热体 观察口 氧化锆 氧化铝 格位 基质 式中 提拉 铱金 坩埚
【权利要求书】:

1.一种镁镱离子共掺YAG超快闪烁晶体,其特征在于:分子式为Mg3xYb3yY3(1-x-y)Al5O12,式中x=0.0001~0.01,y=0.05~0.3,x为Mg离子的掺杂量,y为基质Yb离子的掺杂量,Mg离子和Yb离子进入晶体均取代Y离子格位。

2.一种镁和镱离子共掺的钇铝石榴石晶体的制备方法,其特征在于该方法步骤如下:

①原料配方:

采用MgO、Yb2O3、Y2O3和Al2O3作为初始原料并按摩尔比3x:3y/2:3(1-x-y)/2:5/2进行配料,其中x、y的取值范围分别为x=0.0001~0.01,y=0.05~0.3;原料充分混合均匀后用等静压机压制成块,然后装入氧化铝坩埚内,放进马弗炉中烧结,用10个小时升温至1300℃,恒温10个小时后经10小时降温至室温,将块料取出放入坩埚内;

②采用熔体法生长Mg3xYb3yY3(1-x-y)Al5O12闪烁晶体:用氧化锆和氧化铝做保温材料,用宝石片封住观察口,采用惰性气体保护,生长温度为1950℃,生长制备化学式为Mg3xYb3yY3(1-x-y)Al5O12的晶体。

3.根据权利要求2所述的Mg3xYb3yY3(1-x-y)Al5O12晶体的制备方法,其特征是,所用原料的纯度为:MgO:≥99.99%,Yb2O3:≥99.999%,Y2O3:≥99.999%,Al2O3:≥99.999%。

4.根据权利要求2所述的Mg3xYb3yY3(1-x-y)Al5O12晶体的制备方法,其特征是,所述的熔体法为提拉法,所述的坩埚材料采用铱金,籽晶为<111>或<100>方向的纯YAG籽晶,晶体生长在高纯Ar气氛中进行,提拉速度0.5~5mm/h,晶体转速10~30rpm。

5.根据权利要求2所述的Mg3xYb3yY3(1-x-y)Al5O12晶体的制备方法,其特征是,所述的熔体法为坩埚下降法,所述的坩埚材料采用高纯石墨或钼金属,籽晶为<111>或<100>方向的纯YAG籽晶,晶体生长在高纯Ar气氛中进行,坩埚下降速率为0.1~1.5mm/h。

6.根据权利要求2所述的Mg3xYb3yY3(1-x-y)Al5O12晶体的制备方法,其特征是,所述的熔体法为温度梯度法,所述的坩埚材料采用钼金属或钨钼合金,籽晶为<111>或<100>方向的纯YAG籽晶,晶体生长在高纯Ar气氛中进行,以晶体生长速率为0.1~100℃/h的降温速率降温并生长晶体。

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