[发明专利]微型发光二极管显示面板有效
申请号: | 201810347760.8 | 申请日: | 2018-04-18 |
公开(公告)号: | CN110391261B | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 陈培欣;陈奕静;史诒君;李玉柱;刘应苍 | 申请(专利权)人: | 英属开曼群岛商镎创科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京先进知识产权代理有限公司 11648 | 代理人: | 张雪竹;唐军香 |
地址: | 中国台湾台南市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 发光二极管 显示 面板 | ||
本发明公开了一种微型发光二极管显示面板。所述的微型发光二极管显示面板具有底板、多个微型发光二极管、多个驱动芯片与一遮光层。底板具有第一表面与显示区,微型发光二极管设置于底板的第一表面上且位于显示区中。每一微型发光二极管具有分别位于两个相反侧的底面与正出光面,底面邻近第一表面,正出光面则远离第一表面。驱动芯片也设置于底板的第一表面上且位于显示区中,驱动芯片与至少一个微型发光二极管电性连接,遮光层设置于底板上且覆盖于驱动芯片上、并暴露出微型发光二极管的正出光面。
技术领域
本发明关于一种发光二极管显示面板,特别是一种微型发光二极管显示面板。
背景技术
发光二极管的能量转换效率高、体积小且使用寿命长,目前已广泛地应用于各种电子产品,通常作为指示、照明或是用于显示器以提供影像。简要地来说,发光二极管具有主动发光层与至少两种掺杂类型的半导体层,藉由调整主动发光层所使用的材料,厂商已可制造出不同颜色的发光二极管。
但是于实务上,发光二极管用于显示影像需要精细地控制,传统玻璃基板上制作的非晶硅薄膜晶体管电路已不敷使用。特别是应用于高分辨率的显示面板上,需要更小尺寸的发光二极管以及小电流的驱动,因此如何提高发光二极管的电流控制精准度、改善显示发光二极管显示画面的品质是发光二极管显示面板的研究发展方向之一。
发明内容
本发明在于提供一种微型发光二极管显示面板,以克服将像素驱动芯片设置在显示器基板时,像素驱动芯片容易受环境因素影响的问题。
本发明公开了一种微型发光二极管显示面板。所述的微型发光二极管显示面板具有底板、多个微型发光二极管、多个驱动芯片与一遮光层。底板具有一第一表面与一显示区。各微型发光二极管,设置于该底板的该第一表面上且位于该显示区中,各该微型发光二极管具有分别位于两个相反侧的一底面与一正出光面,该底面邻近该第一表面,该正出光面远离该第一表面。各驱动芯片设置于该底板的该第一表面上且位于该显示区中。各该驱动芯片与至少一该些微型发光二极管电性连接。遮光层设置于该底板的该第一表面上。该遮光层覆盖该些驱动芯片且暴露出该些微型发光二极管的正出光面。
所述的微型发光二极管显示面板进一步包括一显示驱动线路形成于该底板上,电性连接该些微型发光二极管与该些驱动芯片,其中该遮光层具有多个开口,该些微型发光二极管位于该些开口中。
该遮光层具有一第二表面,该第二表面与该第一表面的距离大于该些微型发光二极管的正出光面与该第一表面的距离。
该遮光层具有多个凹部与多个凸部,该些微型发光二极管设置于该些凹部中,该些驱动芯片设置于该些凸部中,该些凹部表面与该第一表面的距离小于该些微型发光二极管的正出光面与该第一表面的距离,该些凸部表面与该第一表面的距离大于该些微型发光二极管的正出光面与该第一表面的距离。
该些驱动芯片其中之一具有一顶表面,该顶表面与该第一表面的距离大于该些微型发光二极管的正出光面与该第一表面的距离。
所述的微型发光二极管显示面板进一步包括一感测元件设置于该底板上且位于该底板的显示区中,该感测元件被该遮光层覆盖。
所述的微型发光二极管显示面板进一步包括一感测元件设置于该底板上且位于该底板的显示区中,该遮光层暴露出该感测元件的一顶面,该感测元件位于该些微型发光二极管之间。
该遮光层具有多个凹部与多个凸部,该些微型发光二极管与该感测元件设置于该些凹部中,该些驱动芯片设置于该些凸部中,该些凹部表面与该第一表面的距离小于该些微型发光二极管的正出光面与该第一表面的距离,该些凹部表面与该第一表面的距离小于该感测元件的顶面与该第一表面的距离,该些凸部表面与该第一表面的距离大于该些微型发光二极管的正出光面与该第一表面的距离。
所述的微型发光二极管显示面板进一步包括多个触控元件,该些触控元件设置于该底板上且分布于该显示区中,该遮光层覆盖该些触控元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的