[发明专利]冷阱、真空系统和半导体处理设备

权利要求书

1.一种冷阱，其特征在于，包括：

壳体，设置有冷却槽，所述冷却槽用于容纳冷却介质；

收集管道，安装在所述冷却槽中，所述收集管道具有进气口和排气口，以使得气体经由所述进气口进入所述收集管道并由所述排气口排出；并且，

所述收集管道在所述冷却槽中的实际长度大于所述收集管道在所述冷却槽中的投影长度，以增加所述气体在所述收集管道内的驻留长度，以使得所述气体中的副产物沉积在所述收集管道内。

2.根据权利要求1所述的冷阱，其特征在于，所述收集管道呈预定的曲线结构。

3.根据权利要求1所述的冷阱，其特征在于，所述收集管道呈螺旋结构。

4.根据权利要求1所述的冷阱，其特征在于，还包括进气管道和排气管道；其中，

所述进气管道与所述进气口连通；

所述排气管道与所述排气口连通。

5.根据权利要求4所述的冷阱，其特征在于，还包括多个隔板；其中，

所述多个隔板安装在所述收集管道中，各所述隔板沿所述收集管道的径向与所述收集管道之间具有允许气体通过的避让空间；和/或，

所述多个隔板安装在所述排气管道中，各所述隔板沿所述排气管道的径向与所述排气管道之间具有允许气体通过的避让空间。

6.根据权利要求5所述的冷阱，其特征在于，所述多个隔板沿所述收集管道的轴向交叉间隔排列；和/或，

所述多个隔板交沿所述排气管道的轴向叉间隔排列。

7.根据权利要求6所述的冷阱，其特征在于，在所述收集管道中，相邻两个所述隔板沿所述收集管道的轴向的间隔为所述收集管道内径的1/4～3/4；和/或，

在所述排气管道中，相邻两个所述隔板沿所述排气管道的轴向的间隔为所述排气管道内径的1/4～3/4。

8.根据权利要求5所述的冷阱，其特征在于，在所述收集管道中，所述避让空间的面积为所述收集管道的横截面积的10％～20％；和/或，

在所述排气管道中，所述避让空间的面积为所述排气管道的横截面积的10％～20％。

9.根据权利要求1至8中任意一项所述的冷阱，其特征在于，所述壳体相对的两个侧壁上设置有与所述冷却槽连通的进水口和排水口；

所述冷阱还包括进水管道和排水管道，所述进水管道与所述进水口连通；所述排水管道与所述排水口连通。

10.一种真空系统，包括冷阱以及与所述冷阱的排气口连通的干泵，其特征在于，所述冷阱采用如权利要求1至9中任意一项所述的冷阱。

11.一种半导体处理设备，其特征在于，包括权利要求10所述的真空系统。