[发明专利]一种应力调控紫外多波长MSM光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种应力调控紫外多波长MSM光电探测器，其特征在于，自下而上包括衬底、缓冲层、至少两组超短周期超晶格应变层，以及金属叉指电极；

在下的超短周期超晶格应变层的阱宽大于在上的超短周期超晶格应变层的阱宽，以使从上方入射的紫外光优先被在上的超短周期超晶格应变层选择性吸收，其余光子穿透至在下的超短周期超晶格应变层表面附近被吸收，从而实现针对若干个波段紫外光信号的选择性探测，形成多波长集成的彩色成像探测。

2.根据权利要求1所述的应力调控紫外多波长MSM光电探测器，其特征在于，金属叉指电极设置于最上层的超短周期超晶格应变层的上表面，作为所有超短周期超晶格应变层的共用电极；

或者，金属叉指电极分别独立设置于每个超短周期超晶格应变层的上表面，将各自表面附近吸收产生的光生载流子转换为光电流。

3.根据权利要求2所述的应力调控紫外多波长MSM光电探测器，其特征在于，包括在下的第一超短周期超晶格应变层、在上的第二超短周期超晶格应变层，共两组超短周期超晶格应变层；

当金属叉指电极设置于第二超短周期超晶格应变层的上表面，第二超短周期超晶格应变层的生长周期为20～50个；

当金属叉指电极分别独立设置于第一超短周期超晶格应变层、第二超短周期超晶格应变层的上表面，第二超短周期超晶格应变层的生长周期为20～200个。

4.根据权利要求1至3任一项所述的应力调控紫外多波长MSM光电探测器，其特征在于，衬底为同质衬底或异质衬底。

5.根据权利要求4所述的应力调控紫外多波长MSM光电探测器，其特征在于，当衬底为同质衬底时，为氮化镓或氮化铝单晶；当衬底为异质衬底，为蓝宝石或碳化硅。

6.根据权利要求1至3任一项所述的应力调控紫外多波长MSM光电探测器，其特征在于，超短周期超晶格应变层由氮化镓单分子层与氮化铝单分子层交替生长形成第I类超晶格。

7.根据权利要求6所述的应力调控紫外多波长MSM光电探测器，其特征在于，超短周期超晶格应变层的阱层或垒层采用铝镓氮混晶进行部分替代。

8.根据权利要求6所述的应力调控紫外多波长MSM光电探测器，其特征在于，单个周期氮化镓阱层宽度大于等于1个原子层且小于等于10个原子层；单个周期垒层氮化铝厚度大于等于4个原子层且小于等于10个原子层。