[发明专利]一种流速可控的微流控芯片表面修饰方法

权利要求书

1.一种流速可控的微流控芯片表面修饰方法，其特征在于：包括如下步骤：

S1：微流控芯片表面活化处理：将微流控芯片表面进行清洗和干燥后进行表面活化处理；

S2：微流控芯片表面化学接枝处理：将微流控芯片的表面进行气相或液相接枝处理并烘干后得到表面具有相应官能团修饰的微流控芯片；

S3：配置疏水溶液：将疏水物质与水或乙醇混合得到疏水溶液，所述的疏水物质为脂肪酸及其盐中的一种或两种以上的混合物；

S4：微流控芯片表面构建局部疏水坝：将步骤S3制得的疏水溶液局部滴加至步骤S2所得到的相应官能团修饰的微流控芯片表面形成疏水坝后置于恒温环境中静置，静置后备用；

S5：微流控芯片表面清洗：将步骤S4得到的微流控芯片用去离子水清洗，真空干燥后即得流速可控的微流控芯片。

2.根据权利要求1所述的流速可控的微流控芯片表面修饰方法，其特征在于：所述步骤S1中的表面活化处理采用UV辐射处理、等离子体处理、臭氧处理、电晕处理、强酸处理或强碱处理；优选地，所述步骤S1中的表面活化处理采用等离子体处理。

3.根据权利要求2所述的流速可控的微流控芯片表面修饰方法，其特征在于：所述等离子体处理的气氛为空气、氧气、氮气、氩气的一种或两种以上的混合气体；优选地，所述等离子体的处理时间为0.5-20min，等离子体的气体流量为200-1500mL/min，等离子体发生功率为50-300w。

4.根据权利要求1所述的流速可控的微流控芯片表面修饰方法，其特征在于：所述步骤S2中化学接枝处理为液相硅烷化处理，所述的液相硅烷化处理中使用的硅烷化溶液中溶质为3-氨丙基三乙氧基硅烷、二氯二甲基硅烷、3-[(2,3)-环氧丙氧]丙基甲基二甲氧基硅烷、三甲基氯硅烷或六甲基二硅氨烷中一种或两种以上的混合物。溶剂为水或乙醇；优选地，所述硅烷化溶液的体积浓度为1-10％。

5.根据权利要求4所述的流速可控的微流控芯片表面修饰方法，其特征在于：所述步骤S2中的液相硅烷化处理温度为20-60℃；所述硅烷化处理的时间为10-120min；所述烘干温度为37-90℃；所述烘干时间为15-60min。

6.根据权利要求1所述的流速可控的微流控芯片表面修饰方法，其特征在于：所述疏水物质为饱和脂肪酸、饱和脂肪酸盐、不饱和脂肪酸或不饱和脂肪酸盐中一种或两种以上的混合物，优选地，所述疏水物质为硬脂酸、硬脂酸盐、软脂酸、油酸或油酸盐中一种或两种以上的混合物。

7.根据权利要求6所述的流速可控的微流控芯片表面修饰方法，其特征在于：所述疏水溶液为质量浓度为0.01％-5％的硬脂酸的乙醇溶液。

8.根据权利要求6所述的流速可控的微流控芯片表面修饰方法，其特征在于：所述疏水溶液为质量浓度为0.01％-5％的硬脂酸盐的水溶液或乙醇溶液；优选地，所述硬质酸盐为硬脂酸钠、硬脂酸钾或硬脂酸镁。

9.根据权利要求1所述的流速可控的微流控芯片表面修饰方法，其特征在于：所述疏水坝设置于芯片表面的孵育区后、检测区后或质控区后，每个区域后的疏水坝数量为一个或两个以上，优选地，所述疏水坝的形状为点阵、区域或图案，所述疏水坝覆盖孵育区后、检测区后或质控区后的流道的宽度；更优选地，所述疏水坝的体积为1-10μL。

10.根据权利要求1所述的流速可控的微流控芯片表面修饰方法，其特征在于：所述步骤S4中恒温环境的温度为37℃-60℃，静置时间为0.5h-2h；所述步骤S5中清洗次数为2-5次，每次清洗时间为2-5min。