[发明专利]一种像素补偿电路及像素补偿方法

权利要求书

1.一种像素补偿电路，其特征在于，包括：

第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的源极接入恒定直流电压信号；

第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的第一端与所述第一薄膜晶体管的栅极连接，第二端与所述第一薄膜晶体管的漏极连接，所述第二薄膜晶体管的第三端接入第n级扫描信号；

第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的第一端与所述第一薄膜晶体管的漏极连接，所述第三薄膜晶体管的第二端通过所述发光器件与公共接地端连接，所述第三薄膜晶体管的第三端接入使能信号；

第四薄膜晶体管，所述第四薄膜晶体管的第一端和第三端均接入第n-1级扫描信号；

存储电容，所述存储电容的第一端与所述第一薄膜晶体管的栅极以及所述第四薄膜晶体管的第二端连接；

第五薄膜晶体管，所述第五薄膜晶体管的第一端与所述存储电容的第二端连接，所述第五薄膜晶体管的第二端接入数据信号，所述第五薄膜晶体管的第三端接入所述第n级扫描信号；

第六薄膜晶体管，所述第六薄膜晶体管的第一端与所述存储电容的第二端连接，所述第六薄膜晶体管的第二端与公共接地端连接，所述第六薄膜晶体管的第三端接入所述使能信号；

其中， 通过所述第n级扫描信号控制所述第二薄膜晶体管以及所述第五薄膜晶体管打开或关断，通过所述第n-1级扫描信号控制所述第四薄膜晶体管打开或关断，通过所述使能信号控制所述第三薄膜晶体管和所述第六薄膜晶体管打开或关断。

2.根据权利要求1所述的像素补偿电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管以及所述第六薄膜晶体管均为P型薄膜晶体管。

3.根据权利要求2所述的像素补偿电路，其特征在于，所述发光器件为OLED器件。

4.根据权利要求3所述的像素补偿电路，其特征在于，当所述发光器件工作时，通过所述发光器件的电流根据所述第一薄膜晶体管的空穴迁移率、所述第一薄膜晶体管中单位面积的栅极绝缘层的电容、所述第一薄膜晶体管的沟道宽度和沟道长度以及所述数据信号的电压值计算得到。

5.一种像素补偿方法，其特征在于，应用于权利要求1所述的像素补偿电路中，包括下述步骤：

S1、开启第四薄膜晶体管，清空存储电容的电荷；

S2、开启第二薄膜晶体管，将第一薄膜晶体管的栅极电位以及所述存储电容第一端的电位拉至第一电位值，且开启第五薄膜晶体管，将所述存储电容第二端的电位拉至第二电位值，所述第一电位值为Vdd-|Vth1|，所述第二电位值为Vdata，其中，Vdd为所述第一薄膜晶体管的源极所接入的恒定直流电压信号的电压值，Vth1为所述第一薄膜晶体管的阈值电压，Vdata为所述第五薄膜晶体管接入的数据信号的电压值；

S3、开启第六薄膜晶体管，将所述第一薄膜晶体管栅极的电位拉至第三电位值，控制所述第一薄膜晶体管开启，还开启第三薄膜晶体管，驱动发光器件发光，所述第三电位值为Vdd-|Vth1|-Vdata。

6.根据权利要求5所述的像素补偿方法，其特征在于，通过第n-1级扫描信号开启所述第四薄膜晶体管，通过第n级扫描信号开启所述第二薄膜晶体管和所述第五薄膜晶体管，通过使能信号开启所述第三薄膜晶体管和所述第六薄膜晶体管。

7.根据权利要求6所述的像素补偿方法，其特征在于，通过所述第n-1级扫描信号开启所述第四薄膜晶体管时，所述第n-1级扫描信号为低电位信号；

通过所述第n级扫描信号开启所述第二薄膜晶体管和所述第五薄膜晶体管时，所述第n级扫描信号为低电位信号；

通过所述使能信号开启所述第三薄膜晶体管和所述第六薄膜晶体管时，所述使能信号为低电位信号。

8.根据权利要求5所述的像素补偿方法，其特征在于，

当所述发光器件工作时，通过所述发光器件的电流根据所述第一薄膜晶体管的空穴迁移率、所述第一薄膜晶体管中单位面积的栅极绝缘层的电容、所述第一薄膜晶体管的沟道宽度和沟道长度以及所述数据信号的电压值计算得到。