[发明专利]屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201810351436.3 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN108493251A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 黄昕;张帅 | 申请（专利权）人： | 张帅;黄昕 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海大视知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31314 | 代理人： | 蔡沅 |
| 地址： | 200233 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 屏蔽栅场效应晶体管 屏蔽栅 制造 半导体技术领域 屏蔽栅氧化层 制造方法工艺 底部氧化层 沟槽表面 提升器件 电场 耐用性 氧化层 击穿 | ||
1.一种屏蔽栅场效应晶体管的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
(1)在作为漏极的N+衬底上利用外延生长工艺产生N-区；
(2)在所述的N-区上设置掩模版进行第一次刻蚀形成位于该N-区内的沟槽；
(3)在所述沟槽内壁上设置掩模版进行第二次刻蚀加深所述的沟槽形成沟槽底部；
(4)在所述的沟槽底部形成底部介质层；
(5)去除所述的掩模版和部分底部介质层；
(6)在所述沟槽表面形成屏蔽栅介质层；
(7)在所述沟槽内进行屏蔽栅多晶淀积并回刻；
(8)淀积介质层覆盖所述的沟槽；
(9)进行器件栅刻蚀、栅氧化、多晶硅淀积并刻蚀，形成位于所述沟槽顶部的栅极；
(10)在所述的N-区顶部进行P-body区注入和退火，形成P-body区；
(11)在所述的P-body区顶部沿所述的沟道进行N+注入；
(12)利用后段工艺在器件顶部形成源极。
2.根据权利要求1所述的屏蔽栅场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述的掩模版为氮化硅。
3.根据权利要求1所述的屏蔽栅场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述的步骤(4)具体为，
通过热氧生长在所述的沟槽底部形成底部氧化层。
4.根据权利要求1所述的屏蔽栅场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述的步骤(6)具体为，
通过热氧生长在沟槽表面形成屏蔽栅氧化层。
5.根据权利要求1所述的屏蔽栅场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述的步骤(8)具体为，
淀积氧化层覆盖所述的沟槽。
6.根据权利要求1所述的屏蔽栅场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述的步骤(12)具体为，
利用后段工艺，设置层间介质层，P+注入及金属连线在器件顶部形成源极。
7.一种屏蔽栅场效应晶体管，其特征在于，利用权利要求1至6中任一项所述的制造方法制成。
8.一种屏蔽栅场效应晶体管，其特征在于，所述的底部介质层的厚度为0.7至1.7μm。
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