[发明专利]一种补偿驱动管阈值电压漂移的硅基OLED像素电路及其方法

权利要求书

1.一种补偿驱动管阈值电压漂移的硅基OLED像素电路，其特征在于，包括第一金属-氧化物-半导体场效应管、第二金属-氧化物-半导体场效应管、第三金属-氧化物-半导体场效应管、第四金属-氧化物-半导体场效应管、第五金属-氧化物-半导体场效应管、第六金属-氧化物-半导体场效应管、存储电容和有机发光二极管；

其中，所述第一金属-氧化物-半导体场效应管的栅极接入第一扫描信号，其源级接入数据信号，其漏极电性连接于第一节点，其衬底接入地信号；所述第二金属-氧化物-半导体场效应管的栅极接入第二扫描信号，其源级接入参考电压，其漏极电性连接于第一节点，其衬底接入地信号；所述第三金属-氧化物-半导体场效应管的栅极电性连接于第二节点，其源级电性连接于第一节点，其漏极电性连接于第三节点，其衬底接入地信号；所述第四金属-氧化物-半导体场效应管的栅极接入第一扫描信号，其源级电性连接于第二节点，其漏极电性连接于第三节点，其衬底接入地信号；所述第五金属-氧化物-半导体场效应管的栅极接入第二扫描信号，其源级电性连接于第三节点，其漏极电性连接于第四节点，其衬底接入地信号；所述第六金属-氧化物-半导体场效应管的栅极接入第三扫描信号，其源级电性连接于第三节点，其漏极接入电源正电压，其衬底接入地信号；所述存储电容的一端电性连接于第二节点，其另一端接入地信号；所述有机发光二极管的阳极接入电源正电压，其阴极电性连接于第四节点。

2.根据权利要求1所述的一种补偿驱动管阈值电压漂移的硅基OLED像素电路，其特征在于，所述第一扫描信号、第二扫描信号、第三扫描信号均由外部时序控制器提供。

3.根据权利要求1所述的一种补偿驱动管阈值电压漂移的硅基OLED像素电路，其特征在于，所述电源正电压、参考电压、地信号均为直流电压信号。

4.根据权利要求1所述的一种补偿驱动管阈值电压漂移的硅基OLED像素电路，其特征在于，所述第一金属-氧化物-半导体场效应管、第二金属-氧化物-半导体场效应管、第三金属-氧化物-半导体场效应管、第四金属-氧化物-半导体场效应管、第五金属-氧化物-半导体场效应管、第六金属-氧化物-半导体场效应管均为N型金属-氧化物-半导体场效应管。

5.根据权利要求1所述的一种补偿驱动管阈值电压漂移的硅基OLED像素电路，其特征在于，所述第一金属-氧化物-半导体场效应管、第二金属-氧化物-半导体场效应管、第四金属-氧化物-半导体场效应管、第五金属-氧化物-半导体场效应管、第六金属-氧化物-半导体场效应管是开关管，所述第三金属-氧化物-半导体场效应管是驱动管。

6.根据权利要求1所述的一种补偿驱动管阈值电压漂移的硅基OLED像素电路，其特征在于，所述第一扫描信号、第二扫描信号、第三扫描信号相组合先后对应于一数据电压准备阶段、一阈值电压补偿阶段、一发光阶段。

7.根据权利要求6所述的一种补偿驱动管阈值电压漂移的硅基OLED像素电路，其特征在于，在所述数据电压准备阶段，所述第一扫描信号置为高电平，所述第二扫描信号置为低电平，所述第三扫描信号置为高电平；

在所述阈值电压补偿阶段，所述第一扫描信号置为高电平，所述第二扫描信号置为低电平，所述第三扫描信号置为低电平；

在所述发光阶段，所述第一扫描信号置为低电平，所述第二扫描信号置为高电平，所述第三扫描信号置为低电平。

8.一种补偿驱动管阈值电压漂移的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供一如权利要求1-6任一项所述的补偿驱动管阈值电压漂移的硅基OLED像素电路；

步骤2、进入数据电压准备阶段，所述第一扫描信号置为高电平，所述第二扫描信

号置为低电平，所述第三扫描信号置为高电平；

步骤3、进入阈值电压补偿阶段，所述第一扫描信号置为高电平，所述第二扫描信

号置为低电平，所述第三扫描信号置为低电平；

步骤4、进入发光阶段，所述第一扫描信号置为低电平，所述第二扫描信号置为高

电平，所述第三扫描信号置为低电平。