[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法

说明书

本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，包括衬底、缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱发光层、空穴提供层和P型氮化镓层，所述衬底的顶部设置有缓冲层，所述缓冲层的顶部设置有未掺杂氮化镓层，所述未掺杂氮化镓层的顶部设置有N型氮化镓层，所述N型氮化镓层的顶部设置有多量子阱发光层，所述多量子阱发光层的顶部设置有空穴提供层，所述空穴提供层的顶部设置有P型氮化镓层，包括如下步骤：步骤一，固定及切割；步骤二，退火；步骤三，倒角；步骤四，分档检测及分离；步骤五，研磨；步骤六，清洗；该方法，有利于多次清洗，同时有利于提升腐蚀的效率。

技术领域

本发明涉及二极管技术领域，具体为一种发光二极管的外延片及其制备方法。

背景技术

LED外延片是一块加热至适当温度的衬底基片，材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料，需要不同的LED外延片生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。近年来，下游应用市场的繁荣带动我国LED产业迅猛发展，外延片市场也迎来发展良机。国内LED外延片产能快速提升，技术水平不断进步，产品已开始进入中高档次。在芯片市场供货偏紧和各地政策支持力度加大的背景下，2011 年我国LED外延片产能继续扩张。在区域分布上，我国LED外延片企业主要集中在闽三角地区、环渤海湾地区和珠三角地区。外延片是LED核心器件中的前端高技术产品，我国在这一领域的企业竞争目前仍处于“蓝海”阶段。国内外延片市场的基本格局是外资企业产品技术占据主导，本土厂商逐步崛起。

但是一般的外延片制备技术中，只进行一次清洗，不能够更好的清除颗粒物质和金属离子，同时在研磨步骤后一般都是通过NA：HAC：HF＝10:4:1的混酸进行腐蚀，去除损伤层则需4分钟，大大降低了工作效率，针对这种缺陷，所以我们设计一种发光二极管的外延片及其制备方法，来解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种发光二极管的外延片及其制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种发光二极管的外延片，包括衬底、缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱发光层、空穴提供层和P型氮化镓层，所述衬底的顶部设置有缓冲层，所述缓冲层的顶部设置有未掺杂氮化镓层，所述未掺杂氮化镓层的顶部设置有N型氮化镓层，所述N型氮化镓层的顶部设置有多量子阱发光层，所述多量子阱发光层的顶部设置有空穴提供层，所述空穴提供层的顶部设置有P型氮化镓层。

一种发光二极管的外延片制备方法，包括如下步骤：步骤一，固定及切割；步骤二，退火；步骤三，倒角；步骤四，分档检测及分离；步骤五，研磨；步骤六，清洗；

其中在上述的步骤一中，将单晶硅棒固定在加工台上，将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片，此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣；

其中在上述的步骤二中，双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至 300℃～500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层；

其中在上述的步骤三中，将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度，此过程中产生的硅粉采用水淋，再将产生废水和硅渣进行收集；

其中在上述的步骤四中，通过红外扫描检测机对其进行分档检测，同时将产生的废品，进行排出；

其中在上述的步骤五中，用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，修整单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格，再将此过程产生的废磨片剂进行排除；

其中在上述的步骤六中，通过有机溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质，将此工序产生有机废气和废有机溶剂进行收集和排除，再通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。