[发明专利]用于测量晶片上的图案布置误差的方法和系统

权利要求书

1.一种用于测量晶片上的图案布置误差PPE的方法，包括：

接收光掩模图案；

将一个或多个单位单元图案添加到光掩模图案，每个单位单元图案包括至少一个参考设计图案和至少一个PPE检查设计图案；

根据其上添加有一个或多个单位单元图案的光掩模图案制造光掩模；

使用制造的光掩模来图案化晶片；

获取图案化晶片的显微镜图像；以及

测量至少一个参考设计图案和至少一个PPE检查设计图案之间的位移作为图案布置误差。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

对光掩模图案执行计算光刻仿真；以及

将计算光刻仿真的结果与测量的图案布置误差进行比较，以确定计算光刻仿真的功效。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，一个或多个单位单元图案以周期性间隔或在预定位置处被添加到光掩模图案。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，每个单位单元图案包括多根平行线。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，多根平行线包括作为参考设计图案的一部分的第一组平行线和作为PPE检查设计图案的一部分的第二组平行线。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，第一组平行线比第二组平行线更密集地间隔。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，第一组平行线与第二组平行线间隔开。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，第一组平行线与第二组平行线相接触。

9.根据权利要求5所述的方法，其中，第一组平行线被设置在第二组平行线的相对侧上。

10.根据权利要求5所述的方法，其中，第一组平行线以相等的间隔间隔开，且第二组平行线彼此间隔开的距离逐渐增大。

11.根据权利要求5所述的方法，其中，多根平行线包括水平线和垂直线。

12.根据权利要求5所述的方法，其中，每个单位单元图案包括第一组平行线和第二组平行线的排列、旋转90°的排列的副本、旋转180°的排列的副本以及旋转270°的排列的副本。

13.一种光掩模，包括：

光掩模电路图案，设置在所述光掩模中；以及

一个或多个单位单元图案，设置在所述光掩模中，每个单位单元图案包括至少一个参考设计图案和至少一个PPE检查设计图案，所述参考设计图案包括第一组平行线，所述PPE检查设计图案包括比第一组平行线更稀疏地间隔的第二组平行线。

14.根据权利要求13所述的光掩模，其中，一个或多个单位单元图案以周期性间隔或在预定位置处设置在光掩模电路图案中。

15.根据权利要求13所述的光掩模，其中，第一组平行线与第二组平行线间隔开。

16.根据权利要求13所述的光掩模，其中，第一组平行线与第二组平行线相接触。

17.根据权利要求13所述的光掩模，其中，第一组平行线以相等的间隔间隔开，且第二组平行线彼此间隔开的距离逐渐增大。

18.根据权利要求13所述的光掩模，其中，第一组平行线和第二组平行线包括水平线和垂直线。

19.根据权利要求13所述的光掩模，其中，每个单位单元图案包括第一组平行线和第二组平行线的排列、旋转90°的排列的副本、旋转180°的排列的副本以及旋转270°的排列的副本。

20.一种用于制造半导体晶片的方法，包括：

制造光掩模，所述光掩模包括设置在其中的光掩模电路图案和设置在其中的一个或多个单位单元图案，每个单位单元图案包括至少一个参考设计图案和至少一个PPE检查设计图案，所述参考设计图案包括第一组平行线，所述PPE检查设计图案包括比第一组平行线更稀疏地间隔的第二组平行线；以及

使用制造的光掩模来图案化半导体晶片。